인피니언 3월

MEASUREMENT101: DC측정의 기초 - 저준위 측정

장*형 : TNC 케이블에서 가드 사용하지 않을시 가드와 그라운드 모두 그라운드로 사용하면 쉴드가 두겹으로 되어 노이즈레벨이 줄어드나요? 가드를 그냥 플로팅 해두는것이 좋은가요?

tektronix2 : Triax 케이블의 가드를 공통 그라운드로 두는 것은 권장하지 않습니다. 가드는 필요한 경우에 설비안 쉴드박스 등 연결하며, 이외에는 플로팅으로 둡니다.

이*영 : SMU를 사용할때 voltage를 이용해서 current를 측정할려면 Sense Hi 와 Sense Lo 를 연결해서 사용해야하나요?

tektronix2 : Sense HI Sense LO는 4단자 측정방법을 이용할때 사용합니다. 전압 전류 기본측정에는 force hi force lo만 이용하면 됩니다

DAQ 기초: 열전대, 부하 셀 및 가속도계 측정

이*준 : Noise 의 특성을 알고 있다면 이를 고려한 SW 적 보정도 가능한가요

NI_1 : 네 데이터 수집장비와 함께 활용하는 LabVIEW 혹은 DAQ에 지원하는 소프트웨어를 통해 보정이 가능합니다. 보정에 관한 자세한 사항은 오늘 웨비나를 진행한 E14 박충억 담당자를 통해 확인 부탁드립니다.

임*수 : Loadcell 데모에서 로드셀의 신호 측정값이 뉴턴으로 표시되던데요, 전압으로 측정되는 로드셀 센싱을 뉴턴으로 환산하려면 별도의 캘리브레이션을 해야하지 않나요?

NI_1 : DAQ 구매 시, DAQmx라는 드라이버에 API에 센서 스펙넣으면 뉴턴으로 환산해주는 함수가 있어 활용이 가능합니다.

ADI의 새로운 전기차 충전 솔루션 소개

최*완 : 션트 사용의 경우 전력회로와 절연이 힘들기 때문에 노이즈 문제가 클 수 있는데 어떤 방법으로 이를 극복할 수 있나요?

Arrow3 : 일반적으로 noise 및 회로 보호 목적으로 전연지원 제품을 사용합니다. Rogowski coils 을 통해 AFE 처리 후 뒷단 interface를 절연하는 방법, ISOLATION BARRIER 가 적용된 AFE 제품을 사용하는 방법이 있습니다.

이*주 : ADE9430 모니터링 장치 이용시, 매개변수 계산이나 복잡성과 관련해 어떠한 특징이 있는지요?

Arrow1 : 고차 Hamonic 측정이 가능한 것이 특징중의 하나입니다.

주변광 측정 센서 소개 및 평가 보드 사용법

조*익 : 영상 검출을 잘 할수 있도록 하기 위해서는 카메라모듈 주변에 LED 밝기가 중요할 것 같습니다 그런데 24시간 무족건 밝기를 강하게 할 수가 없어 주변광 센서로 해당 부분을 측정하여 영상 검출이 정확하게 상태를 확인가 가능하지 안을까 생각 듭니다 주변광 센서 적용에 맞는지 문의 드립니다

ST1 : Flicker 정보와 색온도 정보 그리고 주변광 밝기 정보를 가지고 Camera 측정시 참고로 사용 하실수 있습니다. 뿐만 아니라 IR/CLEAR 대비를 사용 하시면 실내 실외를 구별 하실수 있습니다.

정*수 : 센서값은 캘리브레이션이 필요없는가요?

ST1 : 저희 센서는 본사에 Factory 에서 자체 Calibration 값을 OTP 에 저장하고 있어 출력값을 Calibration 이 필요 없습니다

글로벌 인증을 획득한 Microchip 저전력 Bluetooth LE 5 및 802.15.4 멀티 프로토콜 솔루션

박*필 : 데이터시트를 찾아보면 알겠지만, WBZ451 Zigbee 딥슬립 상태에서 소비전류가 얼마인가요?

Microchip_Luke : 온도나 MCU 의 다른 설정에 따라 차이가 있지만 Data sheet 상에서 명시된 Case 를 말씀드리면 3.3V 에서 1.2uA 입니다. 자세한 내용은 Data Sheet 의 43장7절을 참고하시면 감사하겠습니다.

김*식 : WBZ451 Module에서 2개의 상이한 무선PHY단을 Bridge형태로 적용하기 위해 BLE와 Z.B를 동시에 사용이 가능한지요?

Microchip_Chris : 네 동시에 사용 가능합니다. Arbiter manager SW와 HW arbiter 가 있어 동시 가능합니다.

기초부터 배우는 쇼트키 배리어 다이오드의 선정 및 사용 방법

정*호 : 가드링(GR)이 내압형성용이라고 말씀하셨는데요, 성능과 연결되는것 같은데, 좀더 자세히 설명 부탁드립니다.

ROHM3 : SBD의 경우 가드링으로부터 소수 캐리어의 주입되는 형태로서 이 농도가 내압과 관계가 있으며 trr 속도에도 영향을 주게 됩니다.

백*인 : SBD는 Automotive (AEC-Q) 제품군에서 Industrial 제품군 대비 어떤 장점을 가지나요?

ROHM3 : Auto Grade 제품의 경우 AEC-Q와 같은 전장부품 테스트를 통해 인증될 수 있도록 관리하고 있습니다.

임베디드 소프트웨어 개발을 위한 IAR의 솔루션

: 코드 작성이나 디버깅시 타 플랫폼과 대비하여, IAR만의 차별화된 점이 무엇인지 궁금합니다.

IAR1 : 좀 더 직관적이고, 다양한 디버깅 기능들을 제공합니다. 특히, 코드 분석 기능의 통합 가능으로, 디버깅 시간을 획기적으로 줄일 수 있습니다. 다음의 링크된 문서를 참조하세요. https://www.iar.com/siteassets/korea-office/iar-ebook_kr_final.pdf

김*수 : 표준 모던 C++도 잘 지원 하고 있는지요?

IAR1 : 네 지원 가능합니다. IAR EWARM 은 ISO/IEC 14882:2014 C++ (“C++14”), 14882:2017 C++ (“C++17”) 의 표준을 지원합니다. 자세한 사항은 다음 링크된 문서의 209 페이지를 참조하세요. https://wwwfiles.iar.com/arm/webic/doc/EWARM_DevelopmentGuide.ENU.pdf?_gl=1*1l3x5jg*_ga*MTY1MTMwNDQ4NS4xNjg5MzA4NjIw*_ga_188RPRDB6V*MTY4OTMyMzU5Ny40LjEuMTY4OTMyNTcyNi4wLjAuMA..

Microchip 오토모티브 PCIe® 솔루션 - PCIe Gen 3 네트워크 브리징 및 팬아웃 제품군과 임베디드 애플리케이션용 16~32 레인 PCIe Gen 4 스위치

이*진 : 오토모티브향 이더넷도 요즘 많이 언급이 되고 있는데요, 자동차에서 이더넷과 PCIe가 둘다 모두 사용될 필요가 있을까요?

Microchip_Jean : PCIE는 ADAS 마켓 트랜드에 의해 더욱 많은 Data 처리를 위해 필요로 합니다. 시스템내의 CHIP To CHIP 대용량 DATA를 처리하기 위한 용도로 PCIE가 사용되는 반면 이더넷은 원격노드의 연결하기 위한 인터페이스로 이더넷을 사용하게 됩니다. 궁극적으로 이더넷 B/W의 증가가 PCIE로 DATA 처리용량으로 이어집니다.

: PCIe 장치에 레인이 더 많이 사용될수록, 대역폭이 더 커진다고 보면 되나요?

Microchip_Frank : 네, 스위치에서 Port 및 Lane configuration 이 가능하므로 해당 Configuration에 맞게 사용하실 수 있습니다.

ST 차세대 오토모티브 32비트 MCU Stellar

김*범 : 하이퍼 바이저 기능에 대한 S/W는 오토사에서 제공을 해주는지요?

ST1 : 하이퍼바이저 기능에 대한 기본적인 예제 S/W 프로젝트는 Stellar SDK에 포함되어 있으며, 3rd party에서도 Stellar SR6용 하이퍼바이저를 개발을 진행 중에 있습니다.

정*균 : 오토모티브 MCU는 industrial MCU나 Consumer MCU와 비교시에 어떤점이 특히 다른가요?

ST1 : 차량용 반도체는 Industrial 제품과는 다르게 자동차 내부에서 작도하므로 고온, 고압, 습도 등의 열악한 환경에 노출되기 쉽습니다. 따라서 온도, 습도, 수명과 같은 부분에서 더 나은 성능을 요구하며, 이를 충족하는 반도체라고 생각하시면 됩니다.

배터리 관리 시스템의 구성 요소 및 보호용 MOSFET선정 기준에 대한 이해

장*제 : 방금 SC 보호 할 때, 전류 과도 상태를 turn off 구간만 해석 하였는데, 실제는 short current 를 포함 하여 시간을 설정(2us) 해야 하지 않나요?

infineon_1 : Short current 상태에서 MOSFET이 Full turn on 되어 있는 상태에서는 그 Short current에 의해 발생된 손실에 따른 온도상승을 고려하시면 됩니다.

강*성 : FET Paralleling 구동시 전류 솔림을 방지하는 방안은 무엇이 있을가요? Vgs_th 편차에 따른 Turn on / off 시점 불일치 포함.

infineon_1 : MOSFET Parallel 구동시 전류 쏠림을 방지하기 위해서는 MOSFET 자체 특성값이 비슷해야 하는 부분이 있고, 외부적으로는 Driving circuit을 각각 MOSFET에 연결해 주셔야 합니다.

인터넷신문위원회

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