맥심, 절연 게이트 드라이버 MAX22701E 출시
많은 스위치 모드 전원장치 애플리케이션은 전력 효율성 및 트랜지스터 안정성 개선을 위해 와이드밴드갭 SiC 트랜지스터를 채택한다. 높은 스위칭 주파수는 잡음을 발생하는 과도현상을 유발하기 때문에 이를 완화해야 작동이 중단되는 문제를 방지할 수 있다. MAX22701E …
2019.12.19 by 이수민 기자
ST, 노스텔 AB 인수 완료… SiC 웨이퍼 생산력 강화
ST마이크로일렉트로닉스가 스웨덴의 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조업체인 노스텔 AB의 인수 작업을 완료했다. 노스텔은 ST의 글로벌 R&D 및 제조설비에 완전히 통합된다. 150mm 베어 및 에피택셜 SiC 웨이퍼 생산과 200mm 생산은 물론, 와이드밴드갭 소재 R&D …
2019.12.09 by 이수민 기자
바이코, 2년마다 "전력밀도 25% UP, 전력손실 25% DOWN" 전원 솔루션 출시한다
갈수록 처리해야 할 데이터의 크기가 커지면서 들어가는 전력도 늘어나고 있다. 고성능 전원 시스템을 구축해야 하는 이유다. 바이코는 기로에 선 전력 반도체를 주제로 기자간담회를 열고 자사의 사업 전략과 비전을 발표했다. 정기천 한국지사 대표는 바이코를 전력 배전망의 변환…
2019.10.21 by 이수민 기자
ST, 르노-닛산-미쓰비시에 SiC 전력 디바이스 공급한다
ST마이크로일렉트로닉스의 SiC 전력 전자 디바이스가 르노-닛산-미쓰비시가 출시할 예정인 전기차의 OBC에 채택됐다. 르노-닛산-미쓰비시는 ST의 SiC 전력 기술을 활용하여 효율적이고 컴팩트한 고전력 OBC를 구현함으로써, EV의 배터리 충전시간을 단축하고 주행거리를…
2019.09.20 by 이수민 기자
로옴, TO-247-4L 패키지 채택한 SiC MOSFET 출시
로옴이 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 적합한 트렌치 게이트 구조의 650/1200V 내압 SiC MOSFET인 SCT3xxx xR 시리즈 6종을 출시했다. SCT3xxx xR 시리즈는 TO-247-4L 패키지를 채용했다.…
2019.09.19 by 이수민 기자
Arm 기반 SoC 개발, 라이선스 없이도 일단 가능해져
Arm 기반 SoC 설계 시 IP 라이선스를 구입하지 않고도 프로젝트를 시작할 수 있는 길이 열린다. Arm은 새로운 계약 모델인 플렉서블 액세스를 선보이며 기존 및 신규 파트너들이 반도체 설계를 위해 Arm 기술에 접근하고 라이선스할 수 있는 방법을 더욱 확장했다. …
2019.07.22 by 이수민 기자
마이크로칩, 고전압 파워 제품 개발 위한 SiC 제품 출시
마이크로칩 테크놀로지는 자회사인 마이크로세미를 통해 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술의 성능을 제공하는 SiC 파워 디바이스 제품군을 출시했다. 이번 SiC 디바이스는 마이크로칩의 폭넓은 MCU와 아날로그 솔루션과 더불어 시장에서 빠르게 성장하는 전기차 및 다른 고전…
2019.05.20 by 이수민 기자
마이크로칩, 오토모티브 반도체 시장 4대 성장 요인 선정하고 대응 전략 발표
마이크로칩 테크놀로지가 기자간담회를 열고 자사의 오토모티브 솔루션을 소개하는 시간을 가졌다. 지속적인 인수합병으로 마이크로칩은 반도체 시장에서의 영향력을 확대하고 있다. 작년 3월에 인수한 마이크로세미는 마이크로칩의 오토모티브 사업을 확장하는 데 큰 역할을 했다. 마이…
2019.05.09 by 이수민 기자
인피니언, UPS 및 에너지 저장 애플리케이션 위한 실리콘 카바이드 MOSFET 모듈 출시
인피니언 테크놀로지스가 빠르게 증가하는 실리콘 카바이드(SiC) 솔루션 수요를 충족하기 위해 새로운 1200V CoolSiC MOSFET 제품군을 출시했다. CoolSiC Easy 2B 전력 모듈은 전력 밀도를 높여 시스템비용과 운영비용을 크게 낮춘다. SiC의 특성을…
2019.02.11 by 이수민 기자
Current status of 10 core material development project
Ministry of Trade, Industry and Energy (MOTIE) recently held World Premier Materials (WPM) project’s phase 2 performance exhibition at COEX. Won-Joo P…
2016.04.18 by 명세환 기자
SiC 전력 반도체 효율, 더블 트렌치 구조에서 찾았다
로옴(ROHM)이 급성장하고 있는 SiC(실리콘카바이드) 전력 반도체 기술에서 한발 더 나아간다. 로옴 주식회사의 한국지사 로옴세미컨덕터코리아(대표이사 권오주)는 세계 최초로 트렌치(Trench)구조를 채용한 SiC-MOSFET을 개발하여, 양산 체제를 구축했다고 밝혔…
2015.09.08 by 신윤오 기자