2021.08.26by 이수민 기자
IC 제조 공정 중 3D NAND, DRAM, 고급 로직 공정에서 웨이퍼 에지 박리, 파티클, 잔여물로 인해 웨이퍼 에지 수율 저하가 발생하고 있다. 이를 해결하기 위해 전체 공정 수율 제고 필요성이 커지고 있다. ACM 리서치 베벨 에치 식각 장비는 습식 식각 방식을 사용해 웨이퍼 에지의 다양한 유전체, 금속 및 유기 물질 막질과 미립자 오염 물질을 제거한다.
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