TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성을 향상..

2025.02.25by 배종인 기자

TI, “에지 AI 내장 센서로 기존 3가지 칩 대체 개발비 줄이고 성능은 향상”

텍사스 인스트루먼트(TI)가 에지 AI를 내장한 AWRL6844 60GHz 밀리미터파 레이더 센서를 출시하며, 안전벨트 알림 시스템, 어린이 탑승 감지 및 침입 감지와 같은 기능을 지원해 더 안전한 주행 환경을 제공한다고 밝혔다. 또한 TI의 차세대 오디오 DSP 코어..

2025.01.17by 배종인 기자

TI, 두 배 강력한 코어·에지 AI 탑재 MCU 고성능 실시간 제어

텍사스 인스트루먼트(TI, Texas Instruments)가 두 배 강력해진 코어와 에지 AI를 탑재한 새로운 TMS320F28P55x 시리즈와 F29H85x 시리즈 MCU를 출시하며, 고성능 실시간 제어가 필요한 자동차 및 산업용 수요를 만족 시킬 것으로 기대가 모..

2024.11.21by 배종인 기자

TI, GaN 전력 반도체 자체 제조 역량 4배 강화

텍사스 인스트루먼트(TI)가 미국 텍사스주 댈러스에 위치한 기존 GaN 제조 시설에 이어 일본 아이주 팩토리를 본격 가동하며, GaN(갈륨나이트라이드) 전력 반도체의 자체 제조 역량을 4배로 강화했다.

2024.10.25by 배종인 기자

TI, ‘전력 모듈’ 마그네틱 패키징 기술로 전력밀도 두 배·효율 2% 높였다

텍사스 인스트루먼트(TI)가 전력 모듈을 위한 선도적인 마그네틱 패키징 기술인 MagPack™ 기술이 적용된 새로운 전력 모듈을 통해 기존 제품 대비 최대 50% 더 작아져 뛰어난 열 성능을 유지하면서 전력 밀도를 두 배로 향상시켰다.

2024.10.15by 배종인 기자

TI, 코딩 필요없는 툴로 컨셉에서 프로토타입까지 몇 분 만에 구현

텍사스 인스트루먼트(TI)는 컨셉에서 프로토타입까지 단 몇 분 만에 구현할 수 있도록 지원하는 새로운 프로그래머블 로직 디바이스(PLD)를 출시하며, 코딩이 필요 없는 툴로 설계의 복잡성을 줄여 보드 공간, 개발 시간 및 비용을 절감할 것으로 기대가 모아진다.

2024.10.15by 배종인 기자