텍사스 인스트루먼트(TI)가 두 번째 300㎜ 팹의 본격 가동을 통해 첨단 아날로그 및 임베디드 칩 생산량을 획기적으로 늘린다.

TI는 최근 미국 유타주 리하이에 TI의 두 번째 300㎜ 팹인 LFAB이 첫 생산을 시작했다고 22일 밝혔다.

TI는 LFAB을 구입한지 약 1년 만에 생산을 시작했다.

LFAB은 약 27만5,000평방피트가 넘는 규모의 클린룸이 있고, 웨이퍼를 원활하게 이동하기 위한 11㎞의 오버헤드 트랙을 갖추고 있다.

65㎚ 및 45㎚ 기술을 지원하며, 모든 곳의 전자 제품에 사용되는 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩을 매일 수천만개 생산할 수 있다.

또한 첨단 장비 및 시설 업그레이드로 폐기물, 용수 및 에너지 소비를 감소시켰다.

TI는 이 시설에 총 30∼40억달러의 투자를 진행할 계획이다. 또한 지역 사회에도 기여해 2022년 유타주 지역사회에도 60만달러 이상을 투자했다.

TI 기술 및 제조 그룹의 선임 부사장인 카일 플레스너(Kyle Flessner)는 “향후 수십 년간 고객이 필요로 할 제조 역량을 제공하기 위해 제조 공정을 확대하게 되어 기쁘다”며 “이 성과는 장기적인 역량 투자의 일환이며, 전자 제품에 사용되는 반도체의 지속적인 성장을 지원하기 위해 내부 제조 역량을 확대하려는 TI의 노력을 더욱 견고하게 만들 것”이라고 전했다.