인피니언 테크놀로지스(Infineon, 코리아 대표 이승수)가 고객의 전력 밀도 향상 요구와 효율적인 열 설계에 최적화된 전력반도체 신제품을 발표하며, 고전력 산업용 반도체 시장에서 기술 혁신을 과시했다.

인피니언은 30일 업계 최고 수준의 열 성능과 시스템 효율을 제공하는 상단 냉각 Q-DPAK 패키지 기반의 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 제품을 공식 발표했다.

이 최신 전력 반도체는 전기차(EV) 충전기, 태양광 인버터, UPS, 산업용 모터 드라이브 및 회로 차단기 등 고신뢰성과 고성능이 요구되는 까다로운 산업용 애플리케이션에 적합하도록 설계됐다.

CoolSiC 1200V G2 기술은 동일 RDS(on) 기준 디바이스의 스위칭 손실을 최대 25%까지 감소시켜 시스템 효율을 최대 0.1% 향상시킨다.

인피니언의 고유 실리콘 접합 기술인 .XT가 적용된 G2 제품은 G1 제품군 대비 15% 낮은 열 저항과 11% 낮은 MOSFET 온도를 달성해 열관리 성능을 대폭 개선했다.

이로써 높은 동적 부하 조건에서도 안정적인 작동을 보장하는 반도체 솔루션으로 주목받고 있다.

CoolSiC MOSFET 1200V G2 시리즈는 4mΩ에서 78mΩ까지 다양한 RDS(on) 값을 제공하며, 애플리케이션 환경에 맞게 시스템 성능을 최적화할 수 있는 광범위한 포트폴리오를 갖추었다.

과부하 상태에서도 최대 200°C의 정션 온도(Tvj)를 견딜 수 있으며, 기생 요소에 의한 원치 않는 턴온 발생을 효과적으로 억제해 안정성과 견고성을 높였다.

Q-DPAK 패키지의 핵심 장점은 상단 냉각 구조를 통한 효율적인 열 방출이다.

소자 상단에서 방열판으로 직접 열을 전달함으로써 기존 하단 냉각 방식보다 더 우수한 열전도 특성을 나타낸다.

이로 인해 전체적인 시스템의 컴팩트한 설계가 가능해지고, 고속 스위칭에 필수적인 기생 인덕턴스도 크게 줄어들어 전압 오버슈트 위험이 감소한다.

소형 풋프린트와 자동화된 납땜 공정 대응이 가능한 Q-DPAK 패키지는 PCB 조립을 간소화하고 제조 비용 절감 및 대량 생산 효율성 향상을 돕는다. 싱글 스위치 및 듀얼 하프 브리지 구성의 G2 디바이스 모두 해당 패키지로 제공된다.

이번 제품 출시는 인피니언이 고전력 산업용 반도체 시장에서 기술 혁신을 선도하고 있다는 점을 다시 한 번 입증하는 사례로 평가된다.

CoolSiC MOSFET 1200V G2는 고객의 전력 밀도 향상 요구와 효율적인 열 설계에 최적화된 솔루션으로 자리잡을 전망이다.