| 실리콘 IGBT 대비 스위칭 손실 80% 낮아
| 하프 브리지 토폴로지, 지원 가능 전력대 확장
| NTC 온도 센서 통합, 디바이스 모니터링 지원

인피니언 테크놀로지스가 11일, 빠르게 증가하는 실리콘 카바이드(SiC) 솔루션 수요를 충족하기 위해 새로운 1200V CoolSiC MOSFET 제품군을 출시했다. 
CoolSiC Easy 2B 전력 모듈은 전력 밀도를 높여 시스템비용과 운영비용을 크게 낮춘다.

이 모듈은 실리콘 IGBT 대비 스위칭 손실이 약 80% 낮아 99% 이상의 인버터 효율을 달성할 수 있다. SiC의 특성을 활용해서 동일하거나 더 높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있다. 이 점은 UPS나 에너지 저장장치 같은 고속 스위칭 애플리케이션에 특히 유리하다. 

Easy 2B 표준 패키지를 적용한 전력 모듈은 기생 인덕턴스가 업계에서 가장 낮다. 인피니언은 하프 브리지, 6팩, 부스터 모듈 등 Easy 패키지를 적용해서 업계에서 가장 다양한 구성의 SiC 제품을 제공한다. 하프 브리지 구성의 CoolSiC Easy 2B를 사용해서 4팩(단상) 및 6팩(3상) 토폴로지를 손쉽게 구현할 수 있다. 

이 신제품으로 하프 브리지 토폴로지로 지원 가능한 전력대를 확장하게 되었으며, 스위치 당 온저항(RDS(on))은 6mΩ에 불과하다. 또한 칩에 바디 다이오드를 통합하여 저손실 프리휠링 기능이 가능하고 별도의 다이오드 칩이 필요하지 않다. 

NTC 온도 센서를 통합하여 디바이스 모니터링을 할 수 있고, PressFIT 기술을 적용하여 디바이스를 탑재할 때 어셈블리 시간을 단축할 수 있다. 

CoolSiC MOSFET Easy 2B 모듈은 이미 공급이 시작됐다.

한편, 인피니언은 Easy 1B 패키지로 RDS(ON)이 45mΩ 인 CoolSiC MOSFET 6팩 모듈 또한 출시했다.