| 반도체 전원 장치의 고속 스위칭 작업 촉진
| 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에 적합
| 실리콘 트랜지스터보다 출력·게이트 전하 1/10

마우저 일렉트로닉스가 20일, 인피니언 테크놀로지스의 CoolGaN GaN(질화갈륨) HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고속 전자 이동도 트랜지스터)를 공급한다고 밝혔다. 
높은 효율과 전력 밀도를 갖춘 CoolGaN HEMT는 반도체 전원 장치에서 고속 스위칭 작업을 촉진한다. 

하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에 적합한 CoolGaN HEMT는 무선 충전, SMPS(Switching Mode Power Supply, 스위칭 모드 전원 장치), 전기통신, 하이퍼스케일 데이터 센터, 서버 같은 애플리케이션에서 이상적인 소자다.

새 제품은 실리콘 소재 스위칭 장치보다 뛰어난 성능을 제공한다. 예를 들어 실리콘 트랜지스터보다 출력 전하와 게이트 전하가 10배 낮으며, 절연 파괴장은 10배 높고 이동도는 2배 높다. 

턴 온과 턴 오프에 최적화된 CoolGaN HEMT는 새로운 토폴로지와 전류 변조 기술을 바탕으로 높은 수준의 스위칭 솔루션을 제공한다. HEMT의 표면 실장형 패키징 기술 덕분에 스위칭 성능에 완전하게 접근할 수 있으며, 소형으로 설계되어 설치 공간에 제한이 있는 애플리케이션에 사용할 수 있다.

인피니언의 CoolGaN 질화갈륨 HEMT는 EVAL_1EDF_G1_HB_GAN 및 EVAL_2500W_PFC_G 평가 플랫폼의 지원을 받는다. 

EVAL_1EDF_G1_HB_GAN 보드는 CoolGaN 600V HEMT 및 인피니언의 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 갖췄기 때문에 변환기와 인버터 애플리케이션에 사용되는 범용 하프 브리지 토폴로지에서 고주파 GaN 성능을 평가할 수 있다. 

EVAL_2500W_PFC_G 보드는 CoolGaN 600V e-모드 HEMT, CoolMOS C7 골드 초접합 MOSFET, EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 갖췄다. 덕분에 SMPS와 전기통신 정류기 등 에너지가 필수인 애플리케이션에서 시스템 효율을 99% 이상으로 촉진시키는 2.5kW 풀 브리지 PFC(역률 보정) 평가 도구를 제공한다.