부트스트랩 다이오드 내장해 래치업 내성 증대
36Ω 정격 온저항에서 빠른 역회복 특성 제공
-100V 반복적 300ns 펄스에 대한 신뢰도 향상

인피니언 테크놀로지스가 부트스트랩 다이오드를 내장한 650V 하프 브리지 SOI(silicon on insulator) 드라이버를 출시했다.
이번에 선보인 제품은 네거티브 트랜션트 전압 내성을 높인 동시에 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합해 래치업 내성을 향상시켰다.

이를 통해 개발자들은 MOSFET과 IGBT 기반 인버터 애플리케이션에서 BOM 비용을 줄이면서도 강건성과 신뢰성 높은 디자인을 할 수 있다. 출력 전류가 높은 2ED218x 제품은 인덕션 레인지, 에어컨 컴프레서, SMPS, UPS 등 고주파 애플리케이션에 적합하며 출력 전류가 낮은 2ED210x 제품은 가전기기, 전동 공구, 모터 제어 및 드라이브, 팬, 펌프 등에 적합하다.

2ED218x는 2.5A의 고전류, 2ED210x는 0.7A의 저전류 EiceDRIVER 제품이다. 셧다운 기능이나 개별적인 로직 및 전원 접지를 포함한 다양한 구성의 제품을 제공한다.

내장된 부트스트랩 다이오드는 36Ω의 정격 온저항에서 빠른 역회복 특성을 보이며 –100V의 반복적인 300ns 펄스에 대한 네거티브 트랜션트 내성은 신뢰할 수 있는 동작을 보장한다.

인터록 기능을 사용한 데드 타임 기능과 상하측 전원에 대한 독립적인 게이트 저전압 록아웃(UVLO) 기능은 안전한 동작을 제공한다.

또한 2ED218x와 2ED210x는 이전 세대인 IR(S)218x 및 IR(S)210x 제품과 호환 가능하며 산업 표준 DSO-8(SOIC8) 및 DSO-14(SOIC-14) 패키지로 제공된다. 2kV HBM ESD 정격 제품으로 게이트 드라이버들이 갖는 전달 지연시간은 200ns다.