소스 다운, 새로운 산업 표준 패키지 콘셉트
드레인 전위 대신 소스 전위를 열 패드로 연결
현행 기술 대비 R_DS(on) 30%까지 낮출 수 있어


인피니언 테크놀로지스는 12일, 새로운 산업 표준 패키지 콘셉트인 ‘소스 다운(Source Down)’을 적용한 첫 전력 MOSFET로 OptiMOS 25V 제품을 출시했다고 밝혔다.

OptiMOS 25V MOSFET은 낮은 온(on) 상태 저항(R_DS(on))과 높은 열 관리 능력을 제공하여 드라이브, SMPS, 배터리 관리 등 다양한 애플리케이션에 적합하다.

새로운 패키지 콘셉트는 드레인(drain) 전위 대신 소스(source) 전위를 열 패드로 연결한다. 이를 통해 새로운 PCB 레이아웃이 가능하고 더 높은 전력 밀도와 성능 달성에 도움 된다.

인피니언은 소스 다운 표준 게이트와 소스 다운 중앙 게이트의 2가지 풋프린트 버전을 PQFN 3.3×3.3mm 패키지로 제공한다.

소스 다운 표준 게이트 버전은 현행 PQFN 3.3×3.3mm 핀아웃 구성을 사용한다. 전기 배선 위치가 같으므로 표준 드레인 다운 패키지를 새로운 소스 다운 패키지로 바로 교체할 수 있다.

중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨서 여러 개의 MOSFET을 병렬로 구성할 수 있다. 드레인 소스 연면거리가 더 넓어서 단일 PCB 레이어로 여러 디바이스의 게이트들을 연결할 수 있다. 또한, 게이트를 중앙으로 옮김으로써 소스 면적이 넓어지고 디바이스의 전기적 연결을 향상한다.

이 기술로 현행 기술 대비 R_DS(on)을 30%까지 낮출 수 있다. 접합부 대 케이스 열 저항(R_thJC) 역시 현행 PQFN 패키지 대비 크게 향상됐다. 기생성분을 낮추고 PCB 손실을 줄이고, 열 성능이 뛰어나므로 다양한 첨단 엔지니어링 디자인에 이점을 제공한다.