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​인피니언, 전력 밀도 높은 설계에 적합한 600V CoolMOS PFD7 MOSFET 제품군 출시

기사입력 2020.02.17 11:18
고속 바디 다이오드 내장, 제너 다이오드 사용
125mΩ~2000mΩ의 RDS(on) 값 제공



인피니언 테크놀로지스는 17일, 600V CoolMOS PFD7 고전압 MOSFET 제품군을 출시한다고 밝혔다.
▲인피니언, 600V CoolMOS PFD7 제품군 출시
(이미지=인피니언)

PFD7 제품군은 충전기나 어댑터, 저전력 드라이브, 특수 조명 애플리케이션같이 극히 높은 전력 밀도를 요구하는 디자인에 적합하다.

또한, 모바일 기기의 소형화 및 경량화 요구와 주요 가전기기의 에너지 절약 요구를 충족한다. 특히 경부하 조건에서 높은 효율을 달성하도록 최적화되었으며, EMI 요건을 충족한다.

고속 바디 다이오드를 내장하여 정류 견고성이 우수하고 제너 다이오드를 사용해서 최대 2kV까지 ESD(정전기 방전) 보호를 한다.

125mΩ부터 2000mΩ에 이르는 다양한 RDS(on) 값을 제공함과 동시에 원하는 디자인에 적합한 디바이스를 쉽게 선택할 수 있도록 다양한 패키지 옵션을 제공한다.

CoolMOS PFD7 제품군은 현재 공급을 시작했다.
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