전도 성능 및 열 저항·펄스 전류 용량 향상
저주파스 스위칭 애플리케이션 효율 증대

인피니언 테크놀로지스가 MOSFET을 저 주파수로 스위칭하는 애플리케이션에서 전력 밀도와 에너지 효율을 높인 600V CoolMOS S7 제품을 출시했다.
CoolMOS S7 제품군은 전도 성능 최적화, 향상된 열 저항 및 높은 펄스 전류 용량을 특징으로 한다. 타깃 애플리케이션으로는 능동 브리지 정류, 인버터 스테이지, PLC, 파워 솔리드 스테이트 릴레이, 솔리드 스테이트 회로 차단기 등이 있으며 10mΩ CoolMOS S7 MOSFET은 업계 최저 RDS(on) 제품이다.

또한 저주파수 스위칭 애플리케이션에서 전도 손실을 최소화하고 빠른 응답 시간을 보장하는 동시에 효율을 높이도록 설계됐다.

CoolMOS S7 디바이스는 CoolMOS 7 제품 대비 더 낮은 RDS(on)xA를 제공하고 있어 낮은 온 저항과 가격대로 스위칭 손실을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 고전압 스위치로 업계 최저 온 저항(R_DS(on))을 제공한다.

여기에 10mΩ 칩을 혁신적인 상단 냉각 QDPAK에, 22mΩ 칩을 최신 TOLL(TO leadledd) SMD 패키지에 장착해 비용 효율적이고 간단한 고효율 디자인을 가능케 한다. 시스템은 관련 규정과 에너지 효율 인증을 충족해 전력 소모, 부품 수, 히트 싱크 및 총소유비용(TCO)을 줄일 수 있다.

22mΩ 600V CoolMOS S7 디바이스는 TOLL 및 TO 220으로, 40mΩ 및 65mΩ 디바이스는 TOLL 패키지로 제공 중이며 10mΩ CoolMOS S7 MOSFET은 오는 4분기부터 공급된다.