3.3V PWM 입력 신호로
최대 ±70V 정적 영 전위 이상 및
순간 ±150Vpeak 영 전위 이상 견딜 수 있어


SMPS에서 전력 MOSFET을 턴온, 턴오프 할 때마다 기생 인덕턴스가 영 전위 이상을 일으켜서 게이트 드라이버 IC를 잘못 트리거 할 수 있다.

이러한 문제를 방지하기 위해 인피니언 테크놀로지스는 9일, EiceDRIVER 1EDN 완전 차동 입력(Truly differential inputs; TDI) 1채널 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다.

1EDN7550U는 애플리케이션 레벨에서 3.3V PWM 입력 신호로 최대 ±70V의 정적 영 전위 이상과 ±150Vpeak의 순간적인 영 전위 이상을 견딜 수 있다. 2개로 48V 하프 브리지를 구성할 수도 있다.

새 제품은 1.5mm × 1.1mm × 0.39mm 6핀 리드리스 TSNP 패키지로 제공된다. TSNP 패키지는 SOT-23 제품보다 5배 작아 PCB 면적을 적게 차지한다.

사용자는 리드리스 TSNP 패키지 EiceDRIVER 1EDN7550U로 25V 및 40V OptiMOS MOSFET를 스위치드 커패시터 토폴로지에서 1.2MHz 스위칭 주파수로 작동시킬 수 있다. 또한, 이러한 애플리케이션에서 3060W/in³의 전력 밀도와 97.1% 피크 효율(보조 손실 포함)을 달성할 수 있다.