650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트,
인피니언 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 및
유니폴라 구조 쇼트키 배리어 CoolSiC 결합


인피니언 테크놀로지스는 17일, 650V CoolSiC™ 하이브리드 IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. 해당 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라(Unipolar) 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다.

높은 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC/DC 컨버터와 역률 보상(PFC)에 적합하며, 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치(UPS), 서버나 텔레콤 SMPS 등에 활용할 수 있다.

CoolSiC 하이브리드 IGBT는 IGBT와 프리휠링(Freewheeling) SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합하여, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60%, Eoff는 최대 30%까지 낮춘다.

더불어 출력 전력 요구를 유지하며 스위칭 주파수를 40%까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있다. TRENCHSTOP 5 IGBT를 하이브리드 IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1% 높일 수 있다.

인피니언 측은 신규 제품군이 순수 실리콘 솔루션(Si)과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 구실을 할 것이라 밝혔다. 순수 Si 디자인과 비교해서 하이브리드 IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 높이며, 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다.

고객들은 TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다.

CoolSiC 하이브리드 디스크리트 IGBT 제품군은 현재 주문할 수 있다. 여기에는 40A, 50A, 75A 650V TRENCHSTOP 5 초고속 H5 IGBT에 정격이 절반인 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들과 중간 속도 S5 IGBT에 정격이 동일한 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들을 포함한다.