▲ 인피니언 HYPERRAM 3.0 (그림 제공: 인피니언)


AIoT·V2X emd 황장 RAM 메모리 필요 애플리케이션에 적합
SDR DRAM 比 데이터 레이트 동일, 핀 수·전력 소모 ↓

 

인피니언 테크놀로지(이하 인피니언)가 확장 HyperBus 인터페이스를 채택해 800MBps 데이터 레이트가 가능한 3세대 HYPERRAM 메모리 솔루션을 선보였다.

인피니언은 적은 핀 수의 저전력 고대역폭 메모리 솔루션 HYPERRAM™ 3.0을 출시한다고 17일 밝혔다.

HYPERRAM 3.0은 새로운 16비트 확장 버전 HyperBus™ 인터페이스를 채택하여 이전 세대보다 두배 증가한 800MBps의 스루풋(throughput)을 제공한다.

HYPERRAM 3.0은 △비디오 버퍼링 △공장 자동화 △AIoT △자동차 V2X 같이 확장 RAM 메모리를 필요로 하는 애플리케이션이나 고도의 수학적 계산을 위해서 스크래치 패드 메모리를 필요로 하는 애플리케이션에 적합하다.

인피니언의 HYPERRAM은 독립형 PSRAM 기반 휘발성 메모리이며, 쉽고 경제적으로 확장 메모리를 추가할 수 있도록 한다.

또, 데이터 레이트는 SDR DRAM과 동일하면서 핀 수와 전력 소모가 훨씬 적다.

HyperBus 인터페이스의 핀당 데이터 스루풋을 높임으로써 핀 수가 더 적은 마이크로컨트롤러(MCU)와 레이어 수가 더 적은 PCB를 사용할 수 있어 애플리케이션의 복잡성을 낮추고 비용 효율적인 디자인을 할 수 있다.

라메시 체투베티(Ramesh Chettuvetty) 인피니언 오토모티브 사업부 애플리케이션 및 마케팅 이사는 “새로운 HYPERRAM 3.0 메모리 솔루션은 PSRAM이나 SDR DRAM 같은 기존 기술보다 핀당 훨씬 더 높은 스루풋을 달성한다”며 “또한 저전력 특성으로 스루풋을 희생하지 않으면서 향상된 전력 소모를 달성하여 산업용과 IoT 솔루션에 이상적이다”라고 말했다.