1세대 比 스위칭 손실 25% ↓…시스템 크기 ↑·전력밀도 ↑
VGS = 0V서 안정적 턴오프 달성…시스템 비용·복잡성 ↓
 

인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 1세대 대비 25% 낮은 스위칭 손실로 동급 최고의 스위칭 성능을 자랑하는 차량용 SiC MOSFET을 선보였다.

인피니언은 TO263-7을 적용한 새로운 세대의 차량용 1200V CoolSiC™ MOSFET을 출시한다고 26일 밝혔다.

이번에 출시된 인피니언의 SiC MOSFET은 온보드 차저(OBC)와 DC-DC 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 효율을 달성, 양방향 충전을 가능하게 함과 동시에 시스템 비용을 크게 낮추도록 한다.

이 제품은 1세대와 비교해서 25% 낮은 스위칭 손실로 동급 최고의 스위칭 성능을 자랑하며, 이는 고주파수 동작을 가능토록 하여 시스템 크기를 줄이고 전력 밀도를 높인다.

4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))과 극히 낮은 Crss/Ciss 비율로 기생 턴온의 위험 없이 VGS = 0V에서 안정적인 턴오프를 달성한다.

따라서 단전원 구동이 가능하여 시스템 비용과 복잡성을 줄일 수 있으며 새로운 제품은 낮은 온 저항(RDS(on)) 특징으로 인해 -55°C~175°C의 전체 온도 범위에서 도통 손실을 낮춘다.

또한 향상된 확산(diffusion) 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)을 적용해서 패키지 열 성능을 크게 향상시킴으로써 SiC MOSFET 접합부 온도를 1세대와 비교해서 25%까지 감소시킨다.

이에 더해 5.89mm의 연면 거리로 800V 시스템의 요구를 충족하고 코팅 작업을 줄이도록 한다.

인피니언은 다양한 애플리케이션 요구를 충족하도록 다양한 RDS(on) 옵션을 제공하며 TO263-7 패키지로 시장에서 유일한 9mΩ 타입을 포함한다.