인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 웨이퍼 기반 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 본격 가동하며 시장 지배력을 강화한다.

인피니언은 300㎜ 웨이퍼 기반의 GaN 생산이 순조롭게 진행되고 있어 올해 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공할 것이라고 3일 밝혔다.

인피니언은 기존 200㎜ 웨이퍼 대비 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있는 300㎜ GaN 기술을 업계 최초로 상용화했다. 이를 통해 생산 효율성과 원가 경쟁력을 동시에 높였다.

전력 밀도와 스위칭 속도가 우수한 GaN 반도체는 스마트폰 고속 충전기, 산업용 모터 드라이브, 전기차 충전 인프라, 태양광 인버터 등 다양한 분야에서 소형화와 에너지 절감을 이끈다.

인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN을 모두 아우르는 멀티플랫폼 전략으로 고객 맞춤형 전력 솔루션 포트폴리오를 구축해 왔다. 특히 GaN 제품군은 빠르게 시장이 확대되고 있다.

자체 설계·개발·생산을 일관하는 IDM(종합 반도체 업체) 모델을 기반으로 인피니언은 품질 관리와 출시 속도를 극대화한다.

내부 생산 역량 확대로 안정적인 공급망을 확보했다.

시장 조사 기관에 따르면 전력 애플리케이션용 GaN 매출은 2030년까지 연평균 36% 성장해 약 25억 달러 규모에 이를 전망이다.

인피니언의 대규모 생산 능력은 이러한 성장 기회를 선점하는 핵심 동력이 될 것이다.

지난 1년간 인피니언은 40종 이상의 신규 GaN 제품을 출시하며 시장에서 기술 리더십을 공고히 다졌다.

고객사로부터 높은 신뢰를 획득하며 “우리가 찾던 GaN 파트너”로 자리매김했다.

인피니언 관계자는 “300㎜ 웨이퍼 전환으로 확보한 생산 효율성과 비용 절감 효과를 고객에 직접 환원할 것”이며 “전력 반도체 시장에서 GaN을 주도해 나가겠다”고 밝혔다.