인피니언이 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시하며, AI 데이터센터와 로보틱스 등 신규 애플리케이션 확산을 핵심 배경으로 들었다.

2월 11일 인피니언 테크놀로지스 코리아는 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 발간하고, GaN 기술의 적용 현황과 시장 전망을 공개했다고 밝혔다.

보고서에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2025년 5억8400만 달러에서 2026년 9억2000만 달러로 58% 성장할 것으로 전망됐다. 2025년 이후 양산 확대를 기반으로, GaN이 기존 전력 변환 중심의 적용 범위를 넘어 산업 전반으로 확산되고 있다는 설명이다.

인피니언은 기술 측면에서 고전압 GaN 양방향 스위치(BDS)를 제시했다. 해당 스위치는 GIT(Gate Injection Transistor) 기반으로 더블 게이트 구조의 공통 드레인 설계를 적용했으며, 하나의 드리프트 영역으로 양방향 전압 차단이 가능해 기존 백투백 구성 대비 다이 크기를 줄일 수 있다고 설명했다. 또한 최대 1MHz로 동작하는 CoolGaN BDS를 태양광 마이크로인버터에 적용할 경우, 동일 크기에서 출력이 40% 증가할 수 있다고 밝혔다.

적용 분야는 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지뿐 아니라 디지털 헬스와 양자컴퓨팅 등으로 확대되고 있다고 했다. 인피니언은 새로운 토폴로지를 적용한 GaN 기반 전원공급장치가 전력 손실을 최대 30% 줄일 수 있으며, 휴머노이드 로봇용 GaN 기반 모터 드라이브는 크기를 최대 40% 줄일 수 있다고 덧붙였다.

요하네스 쇼이스볼 GaN 사업부 책임자는 GaN이 다양한 산업에서 상용 기술로 자리 잡았으며, 제품에서 시스템으로 이어지는 접근 방식과 제조 역량을 기반으로 솔루션을 제공하고 있다고 말했다. 인피니언은 IDM 전략과 300mm GaN 웨이퍼 제조 역량을 바탕으로 Si·SiC·GaN 전력 반도체 포트폴리오를 확장하고 있다고 밝혔다.