인피니언이 휴대용 전자기기의 전원 회로 소형화를 겨냥한 40V급 양방향 GaN 스위치 제품군을 확대했다. 신제품은 기존 백투백 실리콘 MOSFET 구성을 단일 부품으로 대체해 PCB 면적과 부품 수를 줄이는 데 초점을 맞췄다.

인피니언 테크놀로지스는 5월 26일 서울에서 CoolGaN BDS 40V G3 양방향 스위치 제품군에 IGK048B041S와 IGK120B041S를 추가했다고 밝혔다. 회사에 따르면 신제품은 PCB 풋프린트를 최대 82% 줄이고, 부품 수를 절반 수준으로 낮춘다.

이번 제품은 스마트폰, 노트북, 웨어러블 등 기판 공간이 제한적인 컨슈머 기기를 주요 대상으로 한다. 모바일 기기에서는 배터리 용량 확대와 고속충전 기능, USB-C 기반 전원 구조가 확산되면서 전원 경로를 보다 정밀하게 제어해야 하는 요구가 커지고 있다.

기존 실리콘 MOSFET을 백투백으로 구성하면 역전류 차단이 가능하지만, 회로 면적과 부품 수가 늘어나는 부담이 있다. 반면 CoolGaN BDS는 하나의 소자로 전압과 전류를 양방향으로 차단하도록 설계돼 USB 과전압 보호, 로드 스위칭, 파워 멀티플렉싱 회로에 적용될 수 있다.

신제품은 5V 게이트 구동과 호환되며, WLCSP 칩 스케일 패키지로 제공된다. IGK048B041S는 2.1×2.1㎟ 패키지에서 4.2mΩ의 RDD(on)을 제공하고, IGK120B041S는 1.7×1.2㎟ 패키지에서 9mΩ의 RDD(on)을 제공한다.

스위칭 특성도 설계 효율과 연결된다. 회사 측은 신제품의 게이트 전하가 경쟁 제품 대비 약 40% 낮아 스위칭 손실을 줄이고, 드레인-드레인 누설 전류는 85% 이상 낮아 발열과 대기 손실 저감에 기여한다고 설명했다.

인피니언은 최근 1년간 40개 이상의 GaN 신제품을 발표하며 전력반도체 포트폴리오를 확대하고 있다. 또 300mm 웨이퍼 기반 GaN 생산을 추진하며 초기 샘플을 고객사에 공급하고 있다. 300mm 생산 체계는 향후 GaN 전력반도체의 공급 확대와 원가 경쟁력 확보에 영향을 줄 것으로 보인다.