인피니언 테크놀로지스가 AI 데이터센터의 고전압 DC 전력 아키텍처에 대응하는 24kW급 SiC 기반 배터리 백업 유닛(BBU) DC-DC 레퍼런스 디자인을 내놨다.

인피니언 테크놀로지스 코리아는 15일 고전압 DC 버스 기반 AI 데이터센터용 24kW BBU 레퍼런스 디자인을 공개했다고 밝혔다. 이 설계는 650V 및 1200V 실리콘카바이드(SiC) 기술을 적용해 배터리 스택과 800V DC 버스 간 직접 동작을 지원하도록 개발됐다.

이번 레퍼런스 디자인은 멀티레벨·다상 비절연 구조를 기반으로 한다. 스택형, 인터리브형, 커플드 방식의 부스트 및 벅 스테이지를 조합해 자성 부품의 부피를 줄이고, 충전과 방전 경로를 통합해 시스템 구성을 간소화한 것이 특징이다. 인피니언은 해당 구조가 전 동작 범위에서 제로전압스위칭(ZVS)을 구현해 전류 리플 저감과 빠른 과도 응답에 기여한다고 설명했다.

모듈 크기는 112×88×118mm이며, 24kW 메인 전력 스테이지와 2.4kW 보조 전원을 통합했다. 충전기와 방전기 블록은 EMI 필터, 커패시터, 보호용 MOSFET을 공유하도록 설계돼 부품 수를 줄였다. 전력 변환 스테이지에는 650V CoolSiC MOSFET이 적용됐으며, 99% 이상의 효율과 450W/in³ 전력 밀도를 목표로 한다.

AI 서버 확산으로 데이터센터 랙당 전력 요구가 빠르게 높아지면서 전력 배전 구조도 변화하고 있다. 업계에서는 기존 저전압 배전 방식의 전류 부담과 배선 손실을 줄이기 위해 800V DC 또는 ±400V DC 기반 고전압 아키텍처를 검토하고 있다. BBU는 이 구조에서 정전, 발전기 전환, 전력망 이상 상황에 대응해 서버 전원을 유지하는 핵심 장치로 꼽힌다.

인피니언은 이번 설계가 기존 저전압 BBU와 유사한 폼팩터에서 고전압 DC 버스 대응을 가능하게 해 데이터센터 전력 인프라의 공간 효율과 열 관리 개선에 기여할 수 있다고 밝혔다. 관련 SiC JFET 제품인 IGK048B041S와 IGK120B041S는 현재 공급 중이다.