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인피니언, 엔비디아와 800VDC AI 데이터센터 GaN 전력 협력

기사입력 2026.10.22 10:49

고전압 IBC 단계에 GaN 기반 시스템 솔루션 적용

AI 데이터센터의 전력 밀도 요구가 높아지면서 800V 직류(VDC) 기반 전력 아키텍처가 주목받고 있다. 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 엔비디아(NVIDIA)와 손잡고 질화갈륨(GaN) 기반 고전압 중간버스 변환기(IBC, Intermediate Bus Converter) 솔루션을 앞세워 이 시장에 대응한다.

인피니언은 엔비디아와 800VDC AI 데이터센터 전력 아키텍처 분야 협력을 확대한다고 22일 밝혔다.

이번 협력은 2025년 양사가 발표한 협력의 연장선으로, 유지보수와 핫스왑이 가능한 800VDC 서버 랙 구현을 위한 전력 아키텍처 기술을 공동 발전시키는 데 초점을 맞춘다.

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “AI는 전력 인프라에 대한 요구를 근본적으로 변화시키고 있으며, 반도체가 핵심 역할을 한다”며 “GaN 기반 시스템 솔루션은 차세대 데이터센터를 구현하는 핵심 기술”이라고 밝혔다.

AI 워크로드의 전력 소비 증가에 대응해 데이터센터는 IBC를 도입하고 있다.

IBC는 메인 버스 전압을 낮은 전압으로 변환해 AI 프로세서 코어 및 부하점(PoL)에 필요한 전압을 효율적으로 공급하는 역할을 한다.

이 다단계 방식은 전력 분배 손실을 줄이면서 보드 면적·열 관리·가동시간 요구사항을 충족한다고 인피니언 측은 설명했다.

GaN은 실리콘 대비 스위칭 속도가 빠르고 손실이 적어 IBC 단계에서 최대 1MHz의 스위칭 주파수를 구현할 수 있다.

이를 통해 자기 소자와 수동소자 크기를 줄여 전력 밀도를 높이고 보드 높이를 낮출 수 있다는 것이 회사 측 설명이다.

또한 높은 전력 변환 효율로 랙당 전력이 메가와트급으로 증가하는 상황에서도 발열을 억제하는 데 기여한다고 밝혔다.

인피니언은 GaN 전력 반도체와 PSoC™ Control C3, EiceDRIVER™ 제품군을 결합해 IBC용 완전한 시스템 솔루션을 제공한다.

GaN 포트폴리오는 △800V에서 50V △800V에서 12V △800V에서 6V로의 전압 변환을 지원해 데이터센터 운영자가 랙 아키텍처를 유연하게 최적화할 수 있도록 한다고 회사 측은 전했다.

이번 협력 확대는 인피니언이 전원공급장치부터 프로세서 부하점까지 전체 전력 공급 체인에 걸친 ‘그리드 투 코어(grid-to-core)’ 반도체 파트너로서 입지를 강화하려는 전략으로 풀이된다.

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