인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 300mm 웨이퍼 기반 GaN(질화갈륨) 전력반도체 양산 시설을 유럽에 처음으로 구축한다. 급증하는 AI 데이터센터·e-모빌리티·에너지 인프라 분야의 고성능 전력 수요에 대응하기 위한 대규모 생산 인프라 확충으로, 2027년 말 양산 개시를 목표로 한다.

 

인피니언은 28일 오스트리아 빌라흐(Villach) 소재 기존 클린룸 시설에 2034년까지 약 11억 유로를 투자해 300mm GaN 전력반도체 양산 체제를 갖춘다고 밝혔다.

 

 

인피니언은 2년 전 업계 처음으로 300mm GaN 웨이퍼 가공에 성공한 바 있다.

 

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “300mm 웨이퍼 기반 양산 체제를 갖춤으로써 GaN 전력전자를 대량 생산하는 첫 번째 기업이 될 것”이라며 “AI, 에너지 인프라, e-모빌리티, 로보틱스 등 핵심 애플리케이션 전반에 GaN 적용 기반을 마련할 것”이라고 밝혔다.

 

 

GaN은 전력 스위칭·변환 효율이 높아 에너지 손실과 발열을 줄이면서도 소형·고출력 시스템 구현이 가능한 소재다.

 

인피니언은 2025 회계연도(9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 57,000명의 임직원과 함께 147억 유로의 매출을 기록했다.