마이크로칩, EV 안정성 높일 SiC SBD 전력 부품 공개
AEC-Q101 인증 SiC SBD 전력 디바이스
마이크로칩은 새로 인증 받은 700·1200V SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD) 전력 디바이스를 출시했다고 29일 발표했다. 해당 디바이스는 전기차(EV) 시스템 개발자에게 광범위한 전압, 전류 및 패키지 옵션에 걸쳐 엄격한 자동차 품질 기준을 충족시키는 솔루션을 제공한다.
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700·1200V SiC SBD 제품을 출시했다 [그림=마이크로칩]
AEC-Q101 인증 디바이스는 고품질을 유지하면서도 전기차 전력 개발자들에게 시스템 안정성과 내구성을 극대화하고, 안정적이고 긴 애플리케이션 수명을 구현하도록 지원한다. 뛰어난 아발란체 성능을 갖춘 해당 디바이스는 외부 보호 회로의 필요성을 줄여 시스템 비용 및 복잡성을 절감한다.
SiC 자동차용 전력 디바이스는 마이크로칩의 광범위한 컨트롤러, 아날로그 및 커넥티비티 솔루션 포트폴리오을 보완하여 개발자들에게 전기차 및 충전시설에 대한 종합 시스템 솔루션을 제공한다.
또한, 마이크로칩은 최신 세대의 SiC 다이를 활용하는 700·1200·1700V SiC SBD와 MOSFET 전력 모듈을 포함하는 광범위한 포트폴리오를 제공한다.
한편, 마이크로칩은 SiC SBD에 대한 자체 내구성 테스트를 실시한 결과 UIS(Unclamped Inductive Switching)에서 20% 가량 더 높은 에너지 보전율을 보이고, 고온에서 가장 낮은 누설 전류량을 보였으며, 시스템 수명을 늘리고 더욱 안정적인 동작이 가능하다는 것이 입증되었다고 밝혔다.
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