마이크로칩 GMICP2731-10, 신호 품질
훼손 없이 높은 RF 레벨에서 지구국
전송 지원하면서 신호 충실성 유지


위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다. 이를 위해서는 높은 RF 출력 파워를 제공하는 동시에 신호가 이상적인 특성을 유지하도록 해야 한다.

마이크로칩테크놀로지는 22일, RF 파워와 신호 충실성(signal fidelity)을 훼손하지 않으면서 이러한 요건을 충족하는 파워 증폭기, ‘GMICP2731-10’ GaN 단일 마이크로파 집적회로(MMIC)를 출시했다. 이 GaN MMIC는 상용 및 방위 위성 통신, 5G 네트워크, 기타 항공우주 및 방위 시스템용으로 설계됐다.

GMICP2731-10은 GaN-on-SiC 기술을 사용해 제작됐고, 27.5~31GHz 범위에서 3.5GHz 대역폭으로 최대 10W의 포화 RF 출력 파워를 제공한다. 전력부가효율은 20%, 소 신호이득은 22dB, 반사손실은 15dB다. 50옴(ohm)에 잘 매칭되며, 설계 통합을 간소화하기 위해 출력단에 통합 DC 차단 커패시터가 포함되어 있다.

마이크로칩의 레옹 그로스(Leon Gross) 디스크리트 부문 부사장은 “통신 시스템이 128-QAM 같은 복잡한 변조 방식을 도입하고, SSPA(Solid-State Power Amplifier) 파워가 상승 추세를 보이고 있다”라며, “RF 파워 증폭기 개발자는 고전력 솔루션을 모색하면서 무게와 전력 소비도 줄여야 한다”라고 말했다.

그러면서 “고전력 SSPA에 사용되는 GaN MMIC는 파워와 무게를 GaAs 제품 대비 30% 이상 절감했다”라며, “GMIC2731-10은 GaN의 가능성을 실현하며, OEM이 추구하는 크기, 무게, 파워 및 비용을 제공할 수 있다”라고 밝혔다.

또한, GMICP2731-10은 GaA MMIC RF 파워 증폭기, 스위치, 저소음 증폭기 및 Wi-Fi 프론트엔드 모듈(FEM)로 구성된 기존 포트폴리오와 GaN-on-SiC HEMT 드라이버 및 레이더 시스템용 증폭기 트랜지스터 제품을 보강한다.

마이크로칩과 마이크로칩 대리점 및 공인 판매업체는 설계를 돕기 위해 보드 설계 지원을 제공하며, 더욱 쉽게 마이크로칩 시스템에서 파워 증폭기 성능을 모델링하고 설계를 촉진할 수 있도록 GMICP2731-10 소형 모델도 제공한다.

GMICP2731-10은 양산 중이다. 자세한 정보는 마이크로칩 대리점이나 웹사이트에서 확인하면 된다. 구매는 마이크로칩 구매 포털, 공인 판매업체에서 가능하다.