우주산업에 사용된 전장품의 오작동 원인 30%가 우주방사선 영향인 것으로 알려져 있다. 우주방사선의 에너지 입자들이 전장품과 충돌해 오작동을 일으킬 수 있으며 부품이 고집적화될수록 노출 영향에 대한 우려는 커지고 있다. 이에 부품의 방사선 내성은 우주 시스템 설계 옵션에서 중요한 요소를 차지한다.
 
마이크로칩은 자사 메모리 기술이 적용된 50 총이온화선량(Total Ionizing Dose, TID) 내성을 갖춘 64메가비트 시리얼 쿼드 I/O NOR 플래시 메모리 디바이스를 출시해 우주 애플리케이션을 위한 COTS 기반 RT SuperFlash® 제품군을 확장했다고 22일 밝혔다.
 
해당 디바이스는 가혹한 항공우주 및 방위 시스템 환경에서 사용할 수 있도록 설계됐다. 우주비행 인증 시스템의 개발자는 시스템 개발 시간, 비용 및 위험을 줄여야 한다. 마이크로칩테크놀로지는 COTS(Commercial Off-the-Shelf) 디바이스로 개발을 시작하고 추후에 이를 우주산업 인증을 획득한 방사선 내성(RT) 부품으로 대체하는 개념을 제시한 바 있다.
 
밥 뱀폴라 마이크로칩 항공우주방위사업부 부사장은 “SST26LF064RT SuperFlash 디바이스는 다양한 우주 애플리케이션에서 모든 SRAM 기반 FPGA와 함께 동작하는 64Mbit 시리얼 쿼드 I/O 메모리 솔루션에 업계 최고의 TID 성능을 제공한다”고 말했다.
 
마이크로칩 SuperFlash NOR 플래시 메모리 제품은 기존 스택형 게이트 플래시 대비 더 뛰어난 성능, 데이터 보존 및 안정성을 제공하도록 독점 분할 게이트 셀 아키텍처를 사용한다. 이들 제품은 전력 관리 스위칭의 복잡성을 제거해 플래시가 바이어스(bias)되며 위성 탑재 컴퓨터와 같은 시스템에서 동작하거나 모터, 센서, 태양 전지판 및 전력 분배를 위한 다양한 컨트롤러에서 동작 중인 경우에도 업계 최고 수준의 TID를 달성한다.
 
산업용 애플리케이션에서 검증된 마이크로칩의 RT SuperFlash 기술은 현재 우주산업 인증을 획득해 기내 모델로도 사용할 수 있는 64Mbit SST38LF6401RT 디바이스와 함께 병렬 인터페이스 솔루션으로 제공된 바 있다. 개발자는 새로운 SST26LF064RT 제품을 통해 시리얼 쿼드 I/O 64Mbit 메모리 옵션을 적용할 수 있다.
 
이번 제품에는 시리얼 64Mbit SuperFlash 디바이스를 마이크로칩의 SST26LF064RT RT 플래시 레퍼런스 평가 보드 및 우주산업 인증 SRAM 기반 FPGA와 함께 사용하는 방법을 안내하는 애플리케이션 노트가 제공된다. 마이크로칩의 병렬 SuperFlash 메모리와 마찬가지로, 시리얼 SuperFlash 옵션은 FPGA나 Arm® Cortex®-M7 기반 SAMRH707 방사선 내성 강화 마이크로컨트롤러(MCU) 등 여타 마이크로칩 솔루션과 함께 구성 메모리로도 사용할 수 있다. 해당 옵션은 RT PolarFire® FPGA와 함께 기내 시스템 재구성에 사용될 수도 있다.
 
밥 뱀폴라 부사장은 “이번 신제품은 전체 시스템을 구동하는 주요 소프트웨어 코드 또는 비트스트림 저장에 컴패니언 플래시 메모리를 요하는 저궤도(Low Earth Orbit, LEO) 우주 위성단이나 여타 가혹한 방사선 환경에서 사용되는 시스템에 적합하다”고 밝혔다.