마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)가 극한의 환경에서도 성능을 발휘하는 방사선 내성강화(RH) 전력 MOSFET 제품군을 발표했다.

마이크로칩테크놀로지는 자사의 방사선 내성강화 전력 MOSFET 제품군이 MIL-PRF-19500/746 슬래시 시트 규격을 충족했으며, 새로 개발된 JANSF2N8587U3 100V N채널 MOSFET이 300 Krad(Si)의 총 이온화 선량(TID)을 견딜 수 있는 JANSF 인증을 획득했다고 18일 발표했다.

마이크로칩 측은 이 제품이 높은 방사선 내성 요구를 충족하기 위해 독자적인 설계 공정과 기술을 적용했다고 밝혔다.

마이크로칩의 JANS 시리즈 RH 전력 디바이스는 100∼250V 범위의 전압을 지원하며, TID 100 Krad(Si)를 기본으로 제공한다.

특히 JANSF2N7587U3 모델은 TID 300 Krad(Si) 이상의 방사선 내성강화 보증(RHA)을 약속하며 신뢰성을 한층 더 강화했다.

이 제품은 기존의 플라스틱 패키지 외에도 세라믹 패키지 옵션으로 제공되며, 저궤도(LEO)와 같은 우주 환경에서 경제적인 전력 솔루션으로 활용 가능하다.

레옹 그로스 마이크로칩 부사장은 “방사선 내성을 높이는 기술적 과제는 매우 도전적이며, 이번 제품군이 해당 분야에서 중요한 진전을 이뤘다”며 “항공우주 및 방위산업 고객들에게 비용 효율적이면서도 높은 신뢰성을 제공할 것”이라고 강조했다.

이 전력 MOSFET 제품군은 비절연 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 범용 스위칭 등에 적합한 주요 스위칭 소자로 활용될 수 있다.

낮은 RDS(ON) 값과 적은 토탈 게이트 차지로 에너지 효율을 높이고 발열을 줄이며 전력 회로의 안정성을 크게 개선했다.

마이크로칩은 방사선 내성강화 MOSFET을 포함한 다양한 항공우주 및 방위산업용 고신뢰성 부품을 제공하고 있다.

주요 제품군에는 내방사선(RT) 및 방사선 내성강화(RH) MCU, FPGA, 전력 장치, RF 제품, 타이밍 솔루션 등이 포함되며, QPL(품질 보증 목록)에 등록된 다양한 옵션도 제공된다.

또한 설계와 시뮬레이션을 지원하기 위해 Spice 모델과 같은 개발 도구를 제공하며, 고객들은 이를 활용해 제품 설계를 최적화할 수 있다. 마이크로칩의 RH MOSFET 디바이스는 샘플로 제공 가능하며 자세한 사항은 공식 대리점 또는 고객 서비스 센터를 통해 확인할 수 있다.