속도 중요한 애플리케이션 고효율 설계 가능
전파 지연 시간 2.5ns, 최소 펄스 폭 1ns
과열 보호 및 부족 전압 차단 기능
마우저 일렉트로닉스가 텍사스 인스트루먼트(TI)의 질화갈륨(GaN) 드라이버 LMG1020를 공급한다. 단일, 로우 사이드 드라이버인 LMG1020를 사용하면 라이다, ToF 레이저 드라이버, 안면 인식, 증강현실, 클래스 E 무선 충전기 등 속도가 중요시되는 애플리케이션에서 고효율, 고성능 설계가 가능하다.

마우저가 공급하는 TI의 LMG1020 로우 사이드 GaN 드라이버는 GaN FET 및 로직 레벨 MOSFET을 구동하며, 전파 지연 시간은 2.5ns, 최소 펄스 폭은 1ns에 불과하다.

게이트와 OUTH, 게이트와 OUTL 사이에 각각 외부 저항기를 연결하면 드라이브 강도를 개별적으로 풀업과 풀다운 에지에 맞게 조정할 수 있다.

LMG1020 드라이버는 과열 보호 및 부족 전압 차단 기능을 갖춰 과부하와 오작동 조건으로부터 보호한다. 공통 모드 과도응답 내성이 300V/ns 이상이며 높은 수준의 시스템 잡음 내성을 갖췄다.

LMG1020은 0.8×1.2mm WCSP 패키지로 생산되므로 게이트 루프 유도 용량을 최소화하며, 고주파 애플리케이션에서 전력 밀도를 최대화한다. 소형 소자이므로 설계자는 부품 개수를 줄일 수 있고 전력 공급을 최대 80%까지 줄일 수 있다.

LMG1020 드라이버는 불감 시간을 조정해서 제어하는 기능을 갖춰 DC-DC 변환기, 클래스 D 오디오 증폭기, 모터 드라이브 같은 애플리케이션에서 향상된 효율을 제공한다.