단락 내량 시간 줄이지 않고 ON 저항 줄여
3세대 대비 ON 저항 40％↓스위칭 손실 54％↓


전기차 분야에서 전동 시스템 및 고용량 배터리에 대한 수요가 늘면서 고내압, 저손실의 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체가 주목받고 있다.

로옴은 17일, 단락 내량 시간을 줄이지 않고도 ON 저항을 줄인 ‘1200V 제4세대 SiC MOSFET’를 개발했다고 밝혔다.

전력 반도체는 ON 저항을 줄이면 단락 내량 시간, 즉 쇼트 시 파괴에 이르는 시간이 짧아진다. 따라서 기존 Si MOSFET보다 ON 저항이 낮은 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 길게 확보하는 것이 관건이다.

로옴이 이번에 개발한 4세대 제품은 더블 트렌치(Trench) 구조를 더욱 강화하여 단락 내량 시간을 줄이지 않고도 3세대 제품 대비 단위 면적당 ON 저항을 약 40％ 줄였다. 또한, 기생 용량을 대폭 줄여 3세대 제품 대비 스위칭 손실을 약 50％ 삭감했다.

4세대 제품은 6월부터 베어칩의 샘플 제공을 순차 개시했다. 향후 디스크리트 패키지로 샘플을 제공할 예정이다.