NXP의 신규 32T32R 전용 솔루션 제품군일 출시돼 커버리지를 비용 효율적으로 유지하고, 더 작고 더 가벼운 5G 라디오 구현할 수 있게 됐다.

NXP 반도체는 최신 GaN(질화 갈륨) 기술을 사용해 32T32R 액티브 안테나 시스템을 위한 새로운 RF 파워 전용 솔루션 시리즈를 30일 발표했다.

새로운 시리즈는 NXP의 64T64R 라디오용 기존 전용 GaN 파워 앰프 솔루션 포트폴리오를 보완해 2.3GHz부터 4.0GHz까지의 모든 셀룰러 주파수 대역을 커버한다.

이를 통해 NXP는 매시브 MIMO(massive multiple input multiple output, 대규모 다중 입력 다중 출력) 5G 라디오를 위한 가장 큰 RF GaN 포트폴리오를 제공하게 됐다.

5G 네트워크가 전 세계적으로 계속 확장됨에 따라 모바일 네트워크 사업자는 32T32R 라디오를 추가해 초고밀 도시 지역을 넘어 밀도가 낮은 도시 및 교외 지역으로 매시브 MIMO 커버리지를 확장하고 있다.

64개의 안테나가 아닌 32개의 안테나를 조합함으로써 커버리지를 보다 비용 효율적으로 유지하는 동시에 매시브 MIMO로 구현되는 고급 5G 경험을 제공할 수 있다.

NXP의 32T32R 솔루션이 64T64R 솔루션과 동일한 패키지에서 두 배의 전력을 공급해 5G 커넥티비티 솔루션은 전반적으로 작고 가벼워지게 됐다.

이 핀 호환성에 의해 네트워크 사업자는 주파수와 전력 레벨을 신속히 확장할 수 있다.

NXP 라디오 파워 고출력 솔루션 부사장 겸 총괄 책임자인 짐 놀링(Jim Norling)은 “5G 배포가 전 세계적으로 계속 확장됨에 따라 네트워크 사업자는 성능은 유지하면서 커버리지를 확장해야 한다. NXP는 동일한 패키지 크기에 두 배의 전력을 제공함으로써 RF 엔지니어가 더 작고 가벼우며 도시 및 교외 지역에 배치하고 감추기 쉬운 기지국을 생성할 수 있도록 해준다”고 말했다.

새로운 시리즈 GaN 전용 솔루션은 안테나에서 평균 전력 10W에 맞춰 설계돼 320W 무선 유닛을 대상으로 하며 최대 58%의 배출 효율을 제공한다.

또한 드라이버 및 최종 단계 트랜지스터를 포함하며, 애리조나에 있는 NXP의 새로운 GaN 팹에서 제조된 NXP의 고도로 선형화 가능한 RF GaN 기술을 활용한다.

자세한 내용은 nxp.com/DMSPRODUCTS의 팩트시트에서 확인할 수 있다.