파워 반도체 기술 개발을 선도하는 로옴이 차세대 AI 데이터 센터 전력 공급 아키텍처 구축에 핵심 역할을 수행하고 있다.


로옴은 NVIDIA의 800V 아키텍처에 최적화된 솔루션을 제공하며, MW급 AI 팩토리 실현에 발맞춰 고효율·고확장성 전력 시스템 개발에 박차를 가하고 있다고 13일 밝혔다.

AI 혁신이 가속화되는 현시점에서 데이터 센터 및 AI 서버의 전력 변환 효율을 극대화할 수 있는 로옴의 기술은 업계 전반에 혁신적인 변화를 불러올 것으로 기대된다.

로옴은 실리콘(Si) 기반 제품은 물론, 와이드 밴드갭 반도체인 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN)까지 폭넓은 파워 디바이스 라인업을 보유하고 있다.

특히 Si MOSFET는 가격·효율·신뢰성 면에서 우수한 성능을 자랑하며, 이미 자동차 및 산업 전력 변환 분야에서 널리 채용되고 있다.

대표 제품인 ‘RY7P250BM’은 48V 전원 시스템용 100V 파워 MOSFET으로, 업계 최고 수준의 SOA(안정 동작 영역) 성능과 1.86mΩ 초저 ON 저항을 컴팩트한 8080 패키지에 구현해, 클라우드 플랫폼과 AI 서버의 핫스왑 회로에 이상적인 선택으로 평가받고 있다.

로옴의 SiC 디바이스는 고전압·대전류 환경에서 스위칭 및 도통 손실을 줄여 전력 손실 최소화를 실현한다.

NVIDIA의 800V HVDC 아키텍처는 1MW를 초과하는 서버랙에 대한 전력 공급과 대규모 인프라 구축에 필수적이며, 송전망 13.8kV 교류를 직접 800V 직류로 변환하는 기술을 통해 기존 54V 랙 전원 시스템에서 발생하던 물리적 제약, 구리 사용량 및 전력 변환 손실 문제를 혁신적으로 개선하고 있다.

이 같은 고효율 전력 변환 기술은 데이터 센터 전체의 전력 공급 간소화와 에너지 효율 향상에 중대한 기여를 할 전망이다.

또한 로옴은 GaN 기술 개발에도 적극 나서고 있다. EcoGaN™ 시리즈는 150V 및 650V GaN HEMT와 게이트 드라이버가 통합된 파워 스테이지 IC 제품군으로, 100V에서 650V 범위에서 초고속 스위칭과 낮은 ON 저항, 탁월한 절연 파괴 강도를 제공한다.

로옴의 독자적인 Nano Pulse Control™ 기술은 스위칭 펄스폭을 최소 2ns까지 단축, 소형·고효율 전원 시스템 요구에 최적의 솔루션으로 자리매김하고 있다.

더불어 제4세대 SiC 칩을 탑재한 상면 방열형 HSDIP20 등 고출력 SiC 모듈은 LLC 방식의 AC-DC 컨버터 및 프라이머리 DC-DC 컨버터에 최적화되어, NVIDIA의 800V 송배전 시스템 구축에 핵심 역할을 수행한다.

로옴은 이러한 혁신 기술을 바탕으로 데이터 센터 사업자, 전원 메이커 등과 긴밀히 협력해 향후 차세대 AI 팩토리 구축과 전력 인프라 혁신을 주도할 계획이다.

로옴의 SiC 및 GaN 기반 최첨단 파워 디바이스는 ‘구리 사용량 삭감, ’에너지 손실 최소화‘ 등 NVIDIA 800V 아키텍처가 요구하는 과제를 효과적으로 해결함과 동시에, 안정적 전력 공급 시스템 구축에 기여할 전망이다.