반도체 기업 로옴(ROHM)이 AI 서버 및 산업기기 전원에 최적화된 100V 내압 MOSFET ‘RY7P250BM’을 개발했다.


이 제품은 서버의 안정적인 가동과 저전력 운영을 실현하는 데 필수적인 높은 SOA 내량(Safe Operating Area)과 낮은 ON 저항(RDS(on))을 동시에 제공한다.

‘RY7P250BM’은 48V 계통 전원의 핫스왑 회로와 배터리 보호용으로 설계되었으며, 기존의 MOSFET 대비 성능을 대폭 강화했다. 특히, 펄스폭 10ms에서 16A, 1ms에서 50A를 지원하며, 이는 업계 최고 수준으로 평가된다.

AI 서버의 핫스왑 회로는 기존 서버보다 더욱 높은 SOA 내량이 요구되며, 고부하 애플리케이션에서 안정성을 확보해야 한다. 이번 신제품은 이러한 요구를 충족하며 전력 손실과 발열을 최소화하여 서버 전원의 고효율화를 돕는다.

‘RY7P250BM’은 기존 8080 사이즈 MOSFET 대비 ON 저항을 약 18% 줄인 1.86mΩ(VGS=10V, ID=50A, Tj=25℃)을 실현했다.

일반적인 100V 내압 MOSFET의 ON 저항이 2.28mΩ 수준인 것과 비교하면 상당한 개선이다. 이를 통해 냉각 부하 저감, 전력 비용 절감 및 서버 전원의 고효율화에 기여할 것으로 기대된다.

‘RY7P250BM’은 세계적인 클라우드 플랫폼 기업의 권장 부품으로 인정받아 향후 AI 서버에서 채택이 증가할 전망이다. 서버 시장에서는 높은 신뢰성과 낮은 전력 소비가 중요한 요소로, 이번 제품이 클라우드 환경에서 높은 평가를 받았다.

로옴은 월 100만 개 생산 체제로 신제품 양산을 시작했으며, 일본 시가 공장과 태국 OSAT에서 제조된다. 제품은 CoreStaff Online 및 Chip 1 Stop 등 온라인 유통망에서도 구매 가능하다.