텍사스 인스트루먼트(TI)의 차기 300㎜ 팹 부지가 유타주 리하이로 결정되며, 향후 TI의 가격 경쟁력 확보 및 공급망 관리 능력이 고도화 될 것으로 기대를 모으고 있다.

TI는 17일 유타주 리하이에 새로운 300㎜ 반도체 웨이퍼 제조공장(팹, Fab) 건설 계획을 발표했다.

새로운 팹은 리하이에 위치한 TI의 기존 300㎜ 반도체 웨이퍼 팹인 LFAB 옆에 위치할 예정이며, 완공 후 두 팹은 하나의 팹으로 통합돼 운영될 예정이다.

TI의 현 총괄 부사장 및 COO 이자 차기 신임 사장 겸 CEO로 선임된 하비브 일란(Haviv Ilan)은 “이번에 신설되는 팹은 자체 제조 역량을 강화하기 위한 TI의 장기적인 300㎜ 제조 로드맵의 일부로, 향후 수십 년에 걸쳐 예상되는 고객의 수요에 대비할 예정”이라며 “이번 신규 팹 건설 계획은 유타주 지역에 대한 TI의 헌신을 대변하는 동시에 유타주의 역량 있는 인재들이 TI가 맞을 또 한 번의 중요한 모멘텀에서 성장의 동력이 되어 줄 것으로 기대한다. 특히 산업용과 자동차 등 전자기기 분야에서 반도체 업계의 큰 성장이 예상되고 ‘반도체 지원법(CHIPS Act)’이 통과됨에 따라 TI의 내부 제조 역량 투자를 확대할 적기라고 판단했다”고 전했다.

이번 투자는 유타주 역사상 가장 큰 규모로, 110억달러에 이른다. 리하이 팹 확장은 약 800개의 추가적인 TI 내부 일자리와 수천 개의 간접적인 일자리를 창출할 것으로 예상된다. TI는 알파인 학구와의 파트너십 강화를 기대하고 있으며, 학생들에게 다양한 기회를 제공하기 위해 900만달러를 투자할 예정이다.

스펜서 콕스(Spencer Cox) 유타주 주지사는 “TI와 같은 기업들이 지속적으로 유타주에 투자하는 것은 세계 최고 수준의 기업 환경과 우수한 인력을 갖추고 있기 때문”이라며 “TI의 새로운 반도체 팹은 유타주가 향후 세대를 위한 글로벌 반도체 제조 허브로 공고히 자리매김하도록 할 것”이라고 기대감을 나타냈다.

리하이는 숙련된 인재, 탄탄한 기존 인프라, 네트워크 등 최적의 입지 조건을 갖췄다. 신설 팹에서는 매일 다양한 분야의 전자제품에 탑재될 수천만 개의 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

이 팹은 건축물의 구조 효율성과 지속가능성을 평가하는 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design) 건축물 인증 제도의 상위 등급인 ‘LEED 골드(Gold)’ 기준을 충족하도록 설계될 예정이다.

리하이에 위치한 첫 번째 팹 대비 재활용하게 될 물의 비율은 약 두 배에 이른다. 리하이의 첨단 300㎜ 장비와 공정을 통해 칩 하나에 사용되는 폐기물과 물, 에너지의 소모를 절감하는데 기여할 것이다.

새로운 팹은 2023년 하반기에 착공해 이르면 2026년에 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상되며, 건설비용은 TI가 이전에 발표한 제조 역량 확장을 위한 자본 지출 계획에 포함되어 있다.

리하이의 두 번째 팹은 TI의 기존 300㎜ 팹인 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1과 RFAB2, 유타주 리하이의 첫 번째 팹인 LFAB을 보완하는 역할을 하게 된다.

한편 TI는 텍사스주 셔먼에도 4개의 새로운 300㎜ 웨이퍼 팹을 건설하고 있다.