ST, TFS 기술 활용한 650V 고주파 IGBT 출시
| 포화전압이 1.55V로 낮아 전도 성능 뛰어나
ST마이크로일렉트로닉스가 2일, ST의 최신 TFS(Trench Field Stop) 기술을 활용하여 PFC 컨버터, 용접기, 무정전 전원 공급장치(UPS), 태양광 인버터 등 중고속 애플리케이션에서 효율성과 성능을 향상시키는 650V IGBT 시리즈 HB2를 출시했다. 이 시리즈에는 AEC-Q101 Rev. D 인증을 충족하는 자동차 등급 디바이스도 포함되어 있다.
STPOWER 포트폴리오에 새롭게 추가된 HB2 시리즈는 포화전압(VCEsat)이 1.55V로 낮기 때문에 전도 성능이 뛰어나다. 이와 함께 낮은 게이트 전류에서 신속한 스위칭을 지원하는 게이트 차지가 감소되어 동적 특성(dynamic behavior)이 강화되었다. 열 성능도 탁월하여 안정성과 전원 밀도를 극대화한다.
HB2 시리즈의 IGBT들은 전정격 또는 반정격 다이오드나 우발적인 역 바이어스 방지를 위한 보호 다이오드 중에서 선택할 수 있기 때문에 특정 애플리케이션에 맞게 동작을 최적화할 수 있다.
새로운 650V 디바이스 중 첫 번째로 출시된 40A STGWA40HP65FB2는 TO-247 LL(Long-Lead) 패키지로 제공되며, 가격은 1,000개당 $2.95에서 시작한다.
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