ST MasterGaN2, 소프트 스위칭과
능동 정류 컨버터 토폴로지에 최적화
USB-PD 제품 전력밀도 높일 수 있어


ST마이크로일렉트로닉스는 29일, 소프트 스위칭과 능동 정류 컨버터 토폴로지에 최적화된 통합 갈륨나이트라이드(GaN) 솔루션, ‘MasterGaN2’ 디바이스를 출시했다.

2개의 650V 노멀오프(Normally-Off) GaN 트랜지스터는 150mΩ, 225mΩ의 온저항을 갖추고 있으며, 게이트 드라이버와 결합하면 일반 실리콘(Si) 디바이스처럼 쉽게 사용할 수 있다.

MasterGaN2는 GaN 고유의 이점과 다양한 기능을 통합해, 능동 클램프 플라이 백과 같은 토폴로지 효율성 향상과 크기 및 무게 감소 등의 이점을 더욱 높인다.

MasterGaN 전력 시스템인패키지(SiP) 제품군은 2개의 GaN HEMT(High-Electron-Mobility Transistor), 관련 고전압 게이트 드라이버, 필수 보호 메커니즘을 단일 패키지에 내장했다.

설계자는 DSP, MCU, FPGA 같은 컨트롤러와 홀 센서 등의 외부 디바이스를 MasterGaN 디바이스에 쉽게 직접 연결할 수 있다. 입력은 3.3V~15V의 로직 신호와 호환되어 회로 설계를 간소화하고, 부품 원가(BOM)를 줄이며, 설치공간 절감과 쉬운 조립이 가능하다.

GaN 기술은 고속 USB-PD 어댑터와 스마트폰 충전기의 발전을 주도하고 있다. 이들 제품에 ST MasterGaN 디바이스를 사용하면 일반 실리콘 기반 솔루션보다 3배 더 빠른 충전 속도는 물론, 크기는 최대 80%, 무게는 70%까지 줄일 수 있다.

내장 보호 기능에는 로우사이드 및 하이사이드 UVLO(Under-Voltage Lockout)를 비롯해 게이트 드라이버 인터로크, 전용 셧다운 핀, 과열보호 기능 등이 포함되어 있다.

9×9×1mm GQFN 패키지는 고전압 및 저전압 패드 간의 연면거리가 2mm 이상인 고전압 애플리케이션에 최적화되었으며, 가격은 1,000개 구매 시 6.50달러다.