ST, 노스텔의 SiC 잉곳 성장 기술 바탕으로
8인치 SiC 벌크 웨이퍼 스웨덴에서 첫 생산
'24년까지 사용량의 40% 자체 생산할 계획


ST마이크로일렉트로닉스는 9일, 크리스탈 전위(crystal dislocation) 결함을 최소화해 불량률을 낮춘 프로토타입의 200mm(8인치) 실리콘 카바이드(SiC) 벌크 웨이퍼를 스웨덴 노르셰핑(Norrköping)에 있는 자사 시설에서 생산했다고 밝혔다.

웨이퍼의 낮은 불량률은 ST가 2019년 인수한 노스텔(Norstel)을 전신으로 하는 ST마이크로일렉트로닉스 실리콘 카바이드(STMicroelectronics Silicon Carbide)가 개발한 SiC 잉곳(ingot) 성장 기술의 전문성을 바탕으로 달성됐다.

200mm SiC 웨이퍼로의 이행은 품질 문제 해결을 포함해, 장비 공급사 등 전반적인 지원 생태계의 발전이 요구된다. ST는 전체 공급망을 포괄하는 여러 기술 파트너와 협력해 자체 200mm SiC 제조 장비 및 공정 기술을 개발 중이다.

ST는 현재 이탈리아 카타니아와 싱가포르 앙모키오 팹에 있는 2개의 150mm 웨이퍼 라인에서 STPOWER SiC 제품을 양산하고 있으며, 중국 선전의 백엔드 공장에서 조립 및 테스트를 진행하고 있다. ST는 신규 SiC 웨이퍼 시설을 구축하고, 2024년까지 내부적으로 40% 이상의 SiC 웨이퍼를 조달할 계획이다.

SiC는 화합물 반도체 소재로, 전력 애플리케이션에서 실리콘(Si)보다 높은 성능과 효율을 제공한다. ST는 25년간 R&D에 주력한 결과, 70개 이상의 특허를 보유하고 있다. 200mm 웨이퍼는 150mm 웨이퍼의 거의 2배에 달하는 가용면적으로 집적회로를 제조할 수 있으며, 작업 칩을 1.8~1.9배 더 많이 제공한다.