ST MasterGaN3, 225/450mΩ 비대칭 온저항
제공. MasterGaN5, 450/450mΩ Rds(on) 지원
LLC 공진, 능동 클램프 플라이백 토폴로지 적합


ST마이크로일렉트로닉스는 30일, 고효율 와이드밴드갭(Wide-Bandgap; WBG) 기술로 보다 간편하게 이행할 수 있도록 최대 45W 및 150W 애플리케이션을 각각 지원하는 ‘MasterGaN3 및 MasterGaN5’ 통합 전력 패키지를 출시했다.

65W ~ 400W 애플리케이션 대상의 MasterGaN1, MasterGaN2, MasterGaN4에 이어 새롭게 추가된 두 디바이스는 스위칭 모드 전원공급장치, 충전기, 어댑터, 고전압 PFC(Power-Factor Correction), DC/DC 컨버터 설계 시 최적의 GaN 디바이스와 드라이버 솔루션을 선택할 수 있도록 유연성을 추가로 제공한다.

MasterGaN3의 GaN 전력 트랜지스터는 225mΩ 및 450mΩ의 비대칭 온저항(Rds(on))을 제공하기 때문에 소프트 스위칭 및 능동 정류 컨버터에 적합하다. MasterGaN5는 두 트랜지스터 모두 450mΩ Rds(on)을 제공하며, LLC 공진 및 능동 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback) 같은 토폴로지에 적합하다.

다른 MasterGaN 제품군처럼 두 디바이스 모두 3.3V ~ 15V 로직 신호와 호환되는 입력을 갖춰, 호스트 DSP나 FPGA, MCU, 홀 센서 같은 외부 디바이스와 쉽게 연결된다. 로우 사이드 및 하이 사이드 UVLO(Undervoltage Lockout), 게이트 드라이버 인터로킹, 과열 보호, 셧다운 핀 등의 통합 보호 기능도 갖췄다.

전용 보드인 ‘EVALMASTERGAN3 및 EVALMASTERGAN5’에는 단일 종단 및 보완 구동 회로를 생성하는 회로가 있다. 또한, 별도 입력 신호 및 PWM 신호 적용, 용량성 부하 지원을 위한 외부 부트스트랩 다이오드 추가, 피크 전류 모드 토폴로지용 로우 사이드 션트 저항 삽입이 가능하다. 데드타임 생성기도 제공된다.

MasterGaN3 및 MasterGaN5는 고전압 및 저전압 패드 간의 연면거리가 2mm로, 고전압 애플리케이션에 최적화된 9mm × 9mm GQFN 패키지로 현재 생산 중이다. 가격은 1,000개 구매 시 ‘3’은 6.08달러, ‘5’는 5.77달러다.