전력밀도를 높이고 시스템 크기를 소형화할 수 있는 신규 MDmesh MOSFET 시리즈가 출시를 앞두고 있다. 데이터센터 서버와 5G 인프라에서부터 평면패널 TV까지 각종 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합한 솔루션을 제공할 것으로 기대가 모아진다.
 
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9와 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다고 지난 13일 발표했다.
 
ST는 이 디바이스가 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치(SMPS: Switched-Mode Power Supply)에 적합한 솔루션을 제공할 것이라고 설명했다.
 
가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9으로 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항(RDS(on))을 갖춰 전력밀도를 극대화하며 시스템 크기를 소형화 할 수 있다고 언급했다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은 45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다.
 
이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하(Qg)를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수(FoM: Figure of Merit)를 갖췄다고 말했다.
 
게이트 임계전압(VGS(th))은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6·DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다고 말했다. MDmesh M9·DM9 시리즈는 매우 낮은 역회복 전하(Qrr)와 역회복 시간(trr)도 갖춰 효율성 및 스위칭 성능을 한층 더 향상시켜준다고 강조했다.
 
ST의 최신 고전압 MDmesh 기술에서 또 다른 기능은 본질적으로 빠른 바디 다이오드를 보장하는 추가적인 백금 확산 공정(Platinum Diffusion Process)에 있다. 이전 공정에 비해 피크 다이오드 역회복 슬로프(dv/dt)가 뛰어나다고 평가받는다. MDmesh DM9 기술에 속하는 디바이스 모두 견고해 400V에서 최대 120V/ns까지 dv/dt를 견딜 수 있다고 설명했다.
 
ST의 새로운 MDmesh M9·DM9 디바이스인 STP65N045M9와 STP60N043DM9는 모두 TO-220패키지로 이미 생산 중이며, 2022년 2분기 말까지 공급될 것이며 표준 표면실장 및 스루홀(Through-Hole) 패키지 옵션은 2022년 하반기에 추가될 예정이라고 밝혔다.
 
자세한 정보는 www.st.com/mdmesh-m9 및 www.st.com/mdmesh-dm9에서 확인할 수 있다.