기존 TO-스타일 패키지 比 전력밀도 향상·조립 용이
전기차 OBC·DC/DC 컨버터·산업용 전력 변환 적합
 

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 냉각기 지원하는 표면실장 ACEPACK SMIT 패키지 기반STPOWER 자동차 등급 디바이스를 출시했다.

ST는 기존 TO-스타일 패키지보다 전력밀도를 향상시키고 조립을 용이하게 해주는 첨단 ACEPACK™ SMIT 패키지를 기반으로 일반형 구성의 전력 반도체 브리지 5종을 시장에 내놓았다고 11일 밝혔다.

엔지니어는 2종의 STPOWER 650V MOSFET 하프 브리지, 600V 초고속 다이오드 브리지, 1,200V 하프-제어 전파 정류기(Half-Controlled Full-Wave Rectifier), 1,200V 사이리스터-제어 브리지 레그(Thyristor-Controlled Bridge Leg) 중 선택해 이용할 수 있다.

모든 디바이스는 자동차 산업 요건을 충족하며, 전기자동차 온보드 충전기(OBC: On-Board Charger)와 DC/DC 컨버터 및 산업용 전력 변환에도 적합하다.

ST의 ACEPACK SMIT 표면실장 패키지는 노출된 드레인으로 열 효율성과 손쉽게 취급이 가능한 절연 패키지를 제공한다.

이로써 DBC(Direct-Bonded Copper) 다이 부착이 가능해 효율적인 상단 냉각을 지원한다.

ACEPACK SMIT는 4.6cm2의 상단 메탈이 노출돼 평면 히트싱크를 쉽게 부착할 수 있다.

이를 통해 공간을 절약해주는 낮은 프로파일 구성이 가능하고, 열 발산을 극대화해 고전력에서 높은 신뢰성을 얻게 되며 모듈과 히트싱크를 자동화된 인라인 장비를 이용해 배치할 수 있어 수동 프로세스를 줄이고 생산성을 높여준다.

상단의 냉각 설계를 갖춘 32.7mm x 22.5mm의 패키지 풋프린트는 리드 간 연면거리가 6.6mm에 불과하며, 최소한의 스택 높이로 전력밀도를 높일 수 있다.

탭-리드(Tab-to-Lead) 절연은 4,500Vrms이다. 이 패키지는 기생 인덕턴스와 커패시턴스도 낮다.

현재 ACEPACK SMIT 패키지로 제공되는 SH68N65DM6AG 및 SH32N65DM6AG 650V-MDmesh DM6 MOSFET 하프 브리지는 AQG-324 인증을 획득했다.

SH68N65DM6AG의 경우 41mΩ, SH32N65DM6AG의 경우 97mΩ의 최대 Rds(on)으로 높은 전기 효율과 낮은 열 발산을 보장한다.

이 디바이스들은 OBC와 고전압-저전압 영역의 DC/DC 컨버터에 모두 사용할 수 있다. 또한 다기능 유연성을 통해 재고 및 조달을 간소화해준다.

600V, 60A 전파 브리지 정류기인 STTH60RQ06-M2Y는 소프트 복구 특성을 갖춘 초고속 다이오드로 구성돼 있으며, 자동차 애플리케이션에 사용할 수 있는 PPAP를 지원한다.

1,200V, 60A 하프-제어 단상 AC/DC 브리지 정류기인 STTD6050H-12M2Y는 AEC-Q101 인증을 받았으며, 1,000V/μs의 dV/dt로 뛰어난 노이즈 내성을 갖추고 있다.

STTN6050H-12M1Y는 내부적으로 연결된 2개의 사이리스터(실리콘 제어 정류기-SCR)로 구성된 1,200V, 60A 하프 브리지이다.

AEC-Q101 인증을 받은 이 디바이스는 자동차 OBC 및 충전소를 비롯해 모터 드라이브 및 전원공급장치의 AC/DC 변환, 단상 및 3상 제어 정류기 브리지, 토템폴(Totem-Pole) 역률보정(PFC) 및 반도체 릴레이와 같은 산업용 애플리케이션에 사용할 수 있다.