신기술 기반 MCU 샘플 2024년 하반기 제공…2025년 하반기 본격 생산
ePCM 장착된 18nm FD-SOI 통해 가격경쟁력·성능·전력 소모 비약적 개선
 

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 삼성 파운드리와 공동 개발한 프로세스 기술을 공개했다.

ST는 21일 차세대 임베디드 프로세싱 기기를 지원하기 위해 ePCM(embedded Phase Change Memory)을 탑재한 18nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) 기술 기반의 첨단 프로세스를 발표했다. 

ST와 삼성 파운드리가 공동 개발한 이 새로운 프로세스 기술은 임베디드 프로세싱 애플리케이션의 성능과 전력 소모를 위해 가격 경쟁력을 높이는 동시에 더 큰 메모리 용량과 아날로그 및 디지털 주변 장치를 한증 더 높은 수준으로 통합하게 해준다. 

이 새로운 기술에 기반한 최초의 차세대 STM32 MCU는 2024년 하반기에 일부 고객을 대상으로 샘플을 제공할 예정이며, 2025년 하반기에 본격 생산될 예정이다.

현재 사용 중인 ST 40nm eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 기술 대비 ePCM이 적용된 18nm FD-SOI는 주요 성능을 크게 향상시켜 준다.

18nm FD-SOI는 전력 대비 성능이 50% 이상 향상됐고, 2.5배 더 높은 NVM(Non-Volatile Memory) 밀도로 더 큰 온칩 메모리 구현이 가능하다.

또한 3배 더 높은 디지털 밀도로 AI 및 그래픽 가속기 등의 디지털 주변 장치와 최첨단 보안 및 안전 기능의 통합을 지원하고 3dB 향상된 잡음 지수로 무선 MCU의 RF 성능 향상도 지원한다.

이 기술은 3V로 동작할 수 있어 전원 관리, 재설정 시스템, 클록 소스, 디지털/아날로그 컨버터와 같은 아날로그 기능을 제공하며, 이러한 성능을 지원하는 유일한 20nm 미만 기술이다.

또한, 자동차 애플리케이션에서 입증된 바 있는 강력한 고온 작동, 방사선 경화, 데이터 보존 기능으로 까다로운 산업용 애플리케이션에 필요한 신뢰성을 제공하고 있다.

레미 엘 우아잔(Remi El-Ouazzane) ST의 MCU, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 사장은 “ST는 반도체 업계를 선도하는 혁신 기업으로서, 자동차 및 항공우주 애플리케이션을 지원하는 FD-SOI 및 PCM 기술을 개발해 고객에게 제공해 왔다”며 “이제 차세대 STM32 MCU를 출발점으로 삼아 다음 단계로 나아가면서 산업용 애플리케이션 개발자에게 이러한 기술의 이점을 제공하고자 한다”고 밝혔다.