세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케이션의 전력 변환 및 모션 제어를 최적화 했다.

ST는 STDRIVEG610과 STDRIVEG611 고전압 GaN 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시했다고 19일 밝혔다.

이번에 출시된 STDRIVEG610과 STDRIVEG611은 전력 변환 및 모션 제어 부문의 다양한 요구를 충족하도록 설계되어, 소비자 및 산업용 애플리케이션에서 성능과 신뢰성을 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.

STDRIVEG610은 300ns의 빠른 시동 시간을 지원해 LLC 또는 ACF 컨버터 토폴로지에 적합하다. 이는 버스트 모드에서 턴오프 간격을 정밀하게 제어해 전력 변환의 효율성을 높인다.

STDRIVEG611은 모션 제어 애플리케이션의 하드 스위칭(Hard-Switching)에 최적화되어 있으며, 하이 사이드 UVLO 및 스마트 셧다운 과전류 보호 기능을 제공해 더욱 안정적인 운용이 가능하다.

두 제품 모두 인터로킹(Interlocking) 기능을 내장해 하드 및 소프트 스위칭 토폴로지에서 안정적으로 작동하며, 가전제품, 펌프 및 압축기, 공장 자동화 드라이브 등의 애플리케이션에서 효율성을 극대화한다.

ST의 새로운 GaN 하프 브리지 드라이버는 UVLO 보호 기능을 통해 600V GaN 전력 스위치를 보호하며, ±200V/ns의 높은 dV/dt 내성을 갖춰 신뢰성을 더욱 강화했다. 또한, 과열 보호 기능을 탑재해 장시간 사용 시 안전성을 확보했다.

입력 핀은 3.3V∼20V까지 확장된 전압 범위를 지원하며, 컨트롤러 인터페이스 회로를 간소화할 수 있도록 설계됐다. 뿐만 아니라 비활성 상태 또는 버스트 모드 동안 전력소모를 줄이는 대기 모드 기능도 제공한다.

STDRIVEG610과 STDRIVEG611은 4mm x 5mm 크기의 QFN 패키지로 설계돼 보드 공간을 절감하며, 부품 원가(BOM)를 줄이는 기능 통합을 통해 효율성을 높인다.

현재 두 제품은 생산 중이며, 가격은 1,000개 구매 시 미화 1.56달러에서 시작한다.

개발을 지원하기 위해 EVLSTDRIVEG610Q 및 EVLSTDRIVEG611 평가 보드도 함께 출시됐다. 평가 보드는 즉시 사용 가능하며, 600V 고속 하프 브리지 게이트 드라이버와 ST의 SGT120R65AL GaN HEMT 소자 2개가 포함돼 있다.