R_DS(ON)이 100mΩ 미만인 900V MOSFET 포함
서버 전원 공급장치, EV 충전기, 태양광 발전기 등 성능 향상

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 새로운 900V MDmesh™ K5 수퍼-정션(Super-Junction) MOSFET을 출시했다. 동급 최강의 온-저항(RDS(ON)) 및 동적 특성을 제공하는 제품으로 강력한 전력과 효율성을 필요로 하는 전력 공급 설계에 적합하다. 

ST는 새로운 시리즈는 RDS(ON)이 100mΩ 미만인 최초의 900V MOSFET을 포함하며, DPAK 디바이스 중에서 최고의 RDS(ON)을 제공한다고 말했다. 또한 최저 수준의 게이트 전하(Qg)를 통해 넓은 입력전압 범위를 필요로 하는 시스템에서 보다 빠른 스위칭으로 탁월한 유연성을 제공한다.



이러한 특성은 최저 35W에서 최고 230W 이상의 전력 등급을 제공하는 표준, 유사-공진(quasi-resonant), 능동-클램프 설계를 포함한 모든 유형의 플라이백 컨버터에서 높은 효율과 신뢰성을 보장한다. 또한 낮은 입출력 커패시턴스(Ciss, Coss)는 하프-브리지 LLC 공진 컨버터의 에너지 손실을 최소화함으로써 제로-전압 스위칭을 구현한다. 

새로운 디바이스의 향상된 안전 마진과 탁월한 정적 및 동적 동작 덕분에 서버 전원 공급장치, 3-상 SMPS(Switched-Mode Power Supply), LED 조명전원, EV(Electric-Vehicle) 충전기, 태양광 발전기, 용접기, 산업용 드라이브, 공장 자동화와 같은 다양한 제품의 성능을 향상시킬 수 있다. 

ST의 MDmesh K5 수퍼-정션 트랜지스터 제품군은 800V, 850V, 900V, 950V, 1050V, 1200V, 1500V의 다양한 전압 등급을 제공한다. 또한 TO-220AB, TO-220FP, TO-247, TO-247 Long Lead, IPAK, I2PAK를 포함한 다양한 패키지 옵션과 함께 D2PAK 및 DPAK 표면실장 전력 패키지를 제공하여 설계자들에게 폭넓은 VHV(Very High Voltage) MOSFET 포트폴리오를 제공한다.