OBC, PHE/EV용 충전소에서도 이점 제공
고전력 산업용, 모터 드라이브, UPS, 태양광 인버터에도 사용 가능
 
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 SiC(Silicon-Carbide) 기술의 높은 스위칭 효율, 빠른 회복력, 일관된 온도 특성을 활용하여 애플리케이션을 더욱 폭넓게 구현할 수 있는 2A~40A의 1200V SiC JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드를 출시했다.
 
ST의 SiC 다이오드 제조 공정은 동급 최고 수준의 순방향 전압(최저 V_F)을 갖춘 매우 견고한 디바이스를 구현할 수 있어 더 낮은 전류 정격의 다이오드를 이용해 높은 효율 및 신뢰성을 달성했으며 비용 절감의 효과를 얻을 수 있다. 이는 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전, 전원 어댑터처럼 비용에 민감한 애플리케이션에서도 SiC 기술의 적용 가능성을 높일 수 있는 요소가 된다.
 
뛰어난 효율성, 저중량, 소형, 우수한 열 특성이 필요한 애플리케이션도 ST의 최신 1200V SiC 다이오드를 사용하여 이러한 장점들을 확장할 수 있다. 낮은 순방향 전압 강하(V_F)를 통해 제공되는 높은 효율 마진은 OBC(On-Board Battery Charger) 및 PHE/EV(Plug-In Hybrid or Electric Vehicles)용 충전소와 같은 자동차 장비에도 이점을 제공한다.
 
또한 전반적으로 견고한 전기적 성능을 제공해 통신 및 서버 전원공급 장치, 고전력 산업용 SMPS(Switched-Mode Power Supplies) 및 모터 드라이브, UPS(Uninterruptible Power Supplies), 대형 태양광 인버터에도 사용할 수 있다.
 
SiC 효율을 극대화하면서 최저 V_F를 달성함으로써 동작온도를 낮추고, 애플리케이션 수명을 연장할 수 있다. ST의 제조 공정으로 데이터시트에 보장된 V_F를 더 낮게 유지할 수 있어, OEM 업체들이 회로를 대량으로 구현할 때 재현성을 보장할 수 있다.