ECU 전력밀도 높여주는 MOSFET 
열효율과 풋프린트 유지, 열 발산 향상

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 자동차 ECU(Electronic Control Unit)의 전력밀도를 높여주는 5x6 양면 냉각(DSC: Dual-Side Cooling) 패키지 파워플랫(PowerFLATTM) 기반의 새로운 MOSFET STLD200N4F6AG와 STLD125N4F6AG을 출시했다.

이 새로운 MOSFET은 모든 주요 자동차 제조업체에 첨단 자동차 기술을 공급하는 선도 기업인 덴소(Denso)가 채택했다. 

STLD200N4F6AG 및 STLD125N4F6AG는 자동차 모터 제어 애플리케이션, 역-배터리 보호, 고성능 전력 스위칭을 위한 40V 디바이스이다. 0.8mm 높이의 파워플랫 5x6 DSC는 표준 패키지의 바닥면 설계의 열효율과 풋프린트를 유지하면서도, 상단의 소스 전극을 노출시켜 열 발산을 향상시킨다. 

또, 최대 드레인 전류는 120A이고 각각 1.5mΩ 및 3.0mΩ의 최대 온-저항을 갖추고 있어 높은 에너지 효율을 보장하고, 시스템 열 관리를 간소화할 수 있다. 또한 낮은 디바이스 커패시턴스와 172nC 및 91nC의 총 게이트 전하를 통해 높은 동작 주파수에서도 효율적인 스위칭이 가능하다. 

이 두 종의 40V MOSFET은 트렌치-게이트(Trench-Gate) 구조를 갖춘 ST의 STripFET™ F6 시리즈를 활용한 새로운 제품군의 첫 번째 디바이스로, 자동차 애플리케이션을 위한 광범위한 정격 전류 및 전압을 제공한다.