도시바가 1200V SiC MOSFET 'TW070J120B'를 출시하고 19일부터 출하를 시작했다. 대용량 전원 장치를 비롯한 산업용 애플리케이션에 적합한 신제품은 기존 Si MOSFET이나 IGBT 제품에 비해 높은 전압 저항, 고속 스위칭, 낮은 온저항을 실현했다. 따라서 전력 소비량 감축과 시스템 다운사이징에 유용하다.
전력 소비량 감축과 시스템 다운사이징에 유용
높은 전압 저항, 고속 스위칭, 낮은 온저항
도시바는 20일, 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET ‘TW070J120B’을 출시해 19일부터 출하를 시작했다고 밝혔다.
▲ 1200V 실리콘 카바이드 MOSFET TW070J120B [사진=도시바]
이 제품은 대용량 전원 장치를 비롯한 산업용 애플리케이션에 적합한 제품으로 기존 실리콘(Si) MOSFET이나 IGBT 제품에 비해 높은 전압 저항, 고속 스위칭, 낮은 온저항을 실현했다. 따라서 전력 소비량 감축과 시스템 다운사이징에 유용하다.
또한 신뢰성을 개선한 도시바의 2세대 칩 디자인으로 제작해 입력 커패시턴스와 게이트-입력 전하, 드레인투소스 온저항을 모두 낮췄다. 도시바의 1200V 실리콘 ‘절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)’와 비교해 턴오프 스위칭 손실과 스위칭 타임(폴 타임)을 각각 약 80%, 70% 줄였고 20A 이하의 드레인 전류로 온전압 특성도 낮췄다.
TW070J120B는 대용량 AC-DC 컨버터, 광전지 인버터, 대용량 양방향 DC-DC 컨버터 등 산업용 애플리케이션에서 전력 손실을 줄여 효율을 높이고 장비 사이즈를 줄이는 데 기여할 예정이다.