로옴 650V SiC SBD 내장 IGBT
기존 IGBT 대비 손실 67% 수준
3월부터 샘플 출하, 12월 양산


최근 전기차 보급이 확산하면서 더욱 효율적인 시스템을 구축하기 위해, 각종 전장품의 인버터나 컨버터에 탑재되는 전력 반도체에 대한 요구사항이 다양해지는 추세다. 이에 따라 SiC MOSFET, SiC SBD 등 초저손실 SiC 전력 제품과 IGBT, SJ-MOSFET 등 기존 Si 전력 제품에서 각각 기술 혁신이 추진되고 있다.

로옴은 8일, 전기차 OBC(On Board Charger), DC/DC 컨버터, 태양광 발전기 파워 컨디셔너와 같이 대전력을 취급하는 차량용·산업용 기기를 위해 650V SiC SBD(Schottky Barrier Diode) 내장 IGBT, ‘RGWxx65C 시리즈’를 개발했다. 

RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR 하이브리드 IGBT 제품은 IGBT 환류 다이오드에 로옴의 저손실 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 채용했고, AEC-Q101을 준수한다. 기존 IGBT 대비 ON 시 스위칭 손실을 크게 줄였다. OBC 탑재 시, 손실이 기존 IGBT 대비 67%이며, SJ-MOSFET 대비 24%다. 

새로운 제품군은 올해 3월부터 개당 1,200엔(세금 불포함)에 샘플 출하를 개시했고, 12월부터 월 2만 개 체제로 양산을 개시할 예정이다. 또한, 평가와 도입에 필요한 구동 회로의 설계 방법을 게재한 애플리케이션 노트와 SPICE 모델 등을 로옴 공식 웹사이트를 통해 제공하여 신속한 시장 도입을 지원한다.