ROHM - e4ds news

로옴, AI 서버용 고성능 MOSFET ‘RY7P250BM’ 개발

반도체 기업 로옴(ROHM)이 AI 서버 및 산업기기 전원에 최적화된 100V 내압 MOSFET ‘RY7P250BM’을 개발했다. 이 제품은 서버의 안정적인 가동과 저전력 운영을 ..

칩 저항기의 열 설계

D-33 | 2025. 07. 17

LED 응용편 : 사용 시의 선정 포인트

종료 | 2025. 03. 13

웨비나 더보기

로옴, SiC 기술로 신재생에너지 기술 혁신 선도

태양광 발전 및 축전 시스템 분야의 글로벌 기업인 SMA 솔라 테크놀로지 AG가 최신 태양광 시스템 ‘Sunny Central FLEX’에 로옴(Rohm)의 2kV SiC MOSF..

2025.05.12by 배종인 기자

로옴, 전기차용 OBC 최적화 실장 면적 52% 감소

일본 반도체 제조업체 로옴(ROHM)이 전기차(xEV)용 온보드 차저(OBC)에서 디팩토 스탠다드로 자리 잡을 새로운 SiC 몰드 타입 모듈 ‘HSDIP20’을 통해 실장 면적을 ..

2025.04.24by 배종인 기자

로옴, 초소형 저저항 MOSFET ‘AW2K21’ 출시…급속 충전 최적화

로옴(ROHM) 주식회사가 초소형 패키지로 업계 최저 수준의 ON 저항(2.0mΩ, Typ.)을 실현한 Nch 30V 내압 공통 소스 구성 MOSFET ‘AW2K21’을 개발·출시..

2025.04.15by 배종인 기자

로옴, 마쯔다와 손잡고 GaN 기반 차 부품 공동 개발

로옴 주식회사(ROHM)와 마쯔다 주식회사(Mazda)가 질화 갈륨(GaN)을 이용한 자동차 부품 개발을 통해 에너지 효율성과 혁신성을 겸비한 미래 자동차를 준비한다.

2025.03.27by 배종인 기자

Best Q&A

SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법 2024. 09. 05

한*웅

스위칭 속도는 높아지나 Peak 전류가 더 높아지는 불리한점은 없나요?

ROHM2

일반적으로 스위칭 속도가 높아질 수록 Peak 전류도 상승합니다. Gate 저항치로 Switching 속도를 조절하는 방법 등으로 설계가 필요합니다.

최*섭

sic mosfet에서 빠른 턴오프를 위해 negative bias를 구성해야된다고 하였는데 4세대 제품에도 구성을 해야되는건가요?

ROHM2

Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.

전체 베스트 댓글

Webinar 기술문서

현재 다운로드 받을 수 있는 기술문서가 존재하지 않습니다.

Top