ROHM - e4ds news

로옴, 소형·박형·고내압 TOLL 패키지 SiC MOSFET 양산

로옴이 소형화와 대전력 대응을 동시에 실현한 TOLL 패키지 SiC MOSFET 「SCT40xxDLL」 시리즈의 양산을 시작했다. 기존 대비 방열성이 약 39% 향상되고 두께는 2..

칩 저항기의 열 설계

종료 | 2025. 07. 17

LED 응용편 : 사용 시의 선정 포인트

종료 | 2025. 03. 13

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인피니언·로옴, 실리콘 카바이드 전력 반도체 패키지 개발 맞손…글로벌 SiC 시장 공략 본격화

인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies, 코리아 대표 이승수)와 로옴(ROHM)이 손을 맞잡고 글로벌 실리콘 카바이드(SiC) 시장 공략을 본격화한다. 이번 ..

2025.09.26by 배종인 기자

로옴, NVIDIA 800V 아키텍처에 최적 솔루션 제공

로옴(Rohm)이 NVIDIA의 800V 아키텍처에 최적화된 솔루션을 제공하며, MW급 AI 팩토리 실현에 발맞춰 고효율·고확장성 전력 시스템 개발에 박차를 가하고 있다.

2025.06.16by 배종인 기자

로옴, AI 서버용 고성능 MOSFET ‘RY7P250BM’ 개발

반도체 기업 로옴(ROHM)이 AI 서버 및 산업기기 전원에 최적화된 100V 내압 MOSFET ‘RY7P250BM’을 개발했다. 이 제품은 서버의 안정적인 가동과 저전력 운영을 ..

2025.05.26by 배종인 기자

로옴, SiC 기술로 신재생에너지 기술 혁신 선도

태양광 발전 및 축전 시스템 분야의 글로벌 기업인 SMA 솔라 테크놀로지 AG가 최신 태양광 시스템 ‘Sunny Central FLEX’에 로옴(Rohm)의 2kV SiC MOSF..

2025.05.12by 배종인 기자

Best Q&A

SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법 2024. 09. 05

한*웅

스위칭 속도는 높아지나 Peak 전류가 더 높아지는 불리한점은 없나요?

ROHM2

일반적으로 스위칭 속도가 높아질 수록 Peak 전류도 상승합니다. Gate 저항치로 Switching 속도를 조절하는 방법 등으로 설계가 필요합니다.

최*섭

sic mosfet에서 빠른 턴오프를 위해 negative bias를 구성해야된다고 하였는데 4세대 제품에도 구성을 해야되는건가요?

ROHM2

Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.

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