전세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 탈탄소 사회의 실현을 위해 중요한 부분 중 하나이다. 파워 디바이스는 효율 개선의 열쇠가 되는 부품이며, 각종 전원에 높은 고효율화를 위해 실리콘 카바이드(SiC)나 GaN과 같은 신재료 활용이 주목받고 있다.
 
일본 글로벌 반도체 기업 로옴(Rohm)이 대만 델타 전자와 협력해 차세대 반도체 GaN(질화 갈륨)기반 파워 디바이스를 개발·양산하겠다고 지난 27일 밝혔다. 세계적인 두 글로벌 기업들이 전략적 파트너십을 체결하게 되며 성장 중인 GaN 파워 디바이스 시장에 경쟁이 가속화될 전망이다.
 
로옴은 파워 디바이스 개발 및 제조 기술에 델타의 장기간 축적해온 전원 개발 기술을 조합했다. 폭넓은 전원 시스템에 최적인 600V 내압 GaN 파워 디바이스를 공동 개발 추진할 예정이다.
 
로옴은 지난 3월 업계 최고인 8V까지 게이트 내압을 높인 ‘150V 내압 GaN HEMT’의 양산 체제를 확립했다. 기지국, 데이터 센터를 비롯한 산업기기와 각종 IoT 통신 기기의 전원 회로용으로 EcoGaN™의 라인업 확충을 추진했다. 이와 동시에, 디바이스 성능의 향상에 집중하고 있다.
 
이노 카즈히데 로옴 이사 상무 집행임원 CSO는 “탈탄소 사회의 실현을 위해 로옴의 주력 상품인 파워 반도체의 역할은 더욱 커지고 있다”며 “로옴은 실리콘에서 실리콘 카바이드와 GaN에 이르기까지 폭넓은 분야에서 최첨단 디바이스 개발을 추진함과 동시에 그 성능을 최대화시키는 제어 IC의 개발 등 주변 부품을 조합한 솔루션 제공을 추진해 왔다"고 말했다.
 
그는 “로옴의 우수한 아날로그 IC를 내장한 GaN IPM도 조기에 양산해 고객이 사용하기 편리한 제품의 라인업을 확충해 나갈 것이다”라고 향후 계획을 밝혔다.
 
마크(Mark Ko) 델타 전자 부회장은 “글로벌 전자 업계에서 GaN 파워 디바이스의 발전은 매우 큰 관심사”라며 “로옴과는 지금까지 수년에 걸쳐 교류해왔으며 이번 기술 교류의 성과를 통해 더 긴밀하게 연계해 나가고자 한다”고 밝혔다.
 
그는 “앞으로 라인업을 더 강화하기 위한 중요한 전력 비즈니스의 하나로써 이번 GaN 협업뿐 아니라 로옴의 아날로그 기술 등과의 제품 전개도 기대한다”며 “로옴과의 협업 체제를 강화해 글로벌 전원 시장 니즈에 폭넓은 솔루션을 제공할 것이다”라고 강조했다
 
한편, 로옴의 GaN 디바이스 EcoGaN LOGOEcoGaN™은 GaN이 지닌 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능을 최대화시킴으로써 △애플리케이션의 저소비전력화 △주변 부품의 소형화 △설계 공수와 부품수 삭감을 모두 지향하는 저전력 · 소형화에 기여한다.