로옴(ROHM)의 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)가 무라타 제작소 그룹의 데이터 센터용 전원 유닛에 채용되며, 어플리케이션 성능 향상과 소형화에 기여한다.


로옴은 제3세대 SiC SBD가 무라타 제작소 그룹의 무라타 파워 솔루션즈에 채용됐다고 27일 밝혔다.

고속 스위칭을 실현하는 로옴의 SiC SBD ‘SCS308AH’는 무라타 파워 솔루션즈의 데이터 센터용 전원 유닛 ‘D1U 시리즈’에 탑재돼, 어플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여한다.

무라타 파워 솔루션즈는 DC-DC 전원, AC-DC 전원, 마그네틱, 디지털 패널 미터, 데이터 센터용 솔루션의 설계, 제조, 판매를 실시하고 있으며, 표준품, 세미 커스텀 제품, 커스텀 제품으로 라인업을 구비하고 있다.

무라타 파워 솔루션즈의 제품은 통신, 컴퓨터, 산업용 제어기기, 헬스케어, 에너지 관리 시스템 등 전 세계 주요 시장 분야의 전자기기에 사용되고 있다.

무라타 파워 솔루션즈의 AC-DC 전원 ‘1U 프론트엔드’ 시리즈는, 고효율의 역률 개선형 프론트엔드 전원 유닛 ‘D1U54P-W-2000-12-HB3C’ 및 ‘D1U54P-W-1200-12-HC4PC’ 등을 라인업으로 구비해, 여러 개의 전원 유닛을 병렬로 동작시킬 수 있다.

또한 ‘1U 프론트엔드’ 시리즈는 핫플러그에 대응하여 고온, 과전류, 과전압 등의 검출과 보호가 가능하다.

서버, 워크스테이션, 스토리지 시스템, 기타 12V 전원 시스템에 고신뢰성과 고효율의 전력을 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 박형의 1U 사이즈이므로 시스템 면적 삭감에도 기여한다.

로옴은 2010년 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 이래, 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 기술 개발을 지속적으로 추진해 왔다.

무라타 파워 솔루션즈에 채용된 최신 제3세대 SiC SBD는 총전하량 (QC)이 작아 저손실 및 고속 스위칭 동작이 가능하다. 또한, 제2세대 SBD보다 우수한 서지 전류 내성을 실현함과 동시에 VF 특성을 한층 더 저감했다.