로옴(ROHM)이 고전력 전원 설계에 대응하는 Super Junction MOSFET 신제품을 공개했다. AI 서버와 산업기기 등 고전력·고밀도 전원 환경을 겨냥한 제품이다.

로옴은 11일 600V 내압 Super Junction MOSFET ‘R60xxXNx 시리즈’와 ‘R60xxWNx 시리즈’를 개발했다고 밝혔다.

이번 제품군은 기존 패키지 외에도 표면실장 방식의 DFN8080-5L(8.0×8.0×0.85mm)과 TOLL(11.68×9.9×2.3mm) 패키지를 추가한 것이 특징이다.

해당 패키지는 소형·박형 구조와 높은 방열 특성을 동시에 확보하도록 설계됐다. 이에 따라 AI 서버, 데이터센터 전원, 산업기기 등 고전력 밀도 환경에서 활용이 가능하다.

신제품은 게이트 임계 전압을 3\~5V 범위로 설정해 다양한 구동 환경에 대응할 수 있도록 했다.

또한 어드미턴스 특성을 개선해 스위칭 시 손실 저감과 응답성을 높였다고 회사 측은 설명했다.

표면실장 제품은 기존 전원 회로와 호환되는 랜드 패턴을 적용해 기존 설계에서 대체 사용이 가능하도록 했다.

라인업은 △고속 스위칭 타입 21종 △PrestoMOS 기반 고속 리커버리 타입 11종으로 구성된다.

적용 분야는 △AI 서버 및 데이터센터 전원 △산업·가전 전원 △모터 및 인버터 시스템 등이다.

제품은 2026년 6월부터 순차적으로 양산이 시작됐으며, 일부 모델은 온라인 유통을 통해 구매할 수 있다.