로옴이 전기차와 산업기기용 전력반도체 신제품 650V 내압 IGBT를 통해 손실 저감과 신뢰성 향상을 동시에 구현하고, 전동 컴프레서와 인버터 등 응용 분야 확대를 겨냥했다.


로옴은 18일 차량용 전동 컴프레서와 HV 히터, 산업기기용 인버터에 적용 가능한 제4세대 650V 내압 IGBT를 개발했다고 밝혔다.

이번 제품은 도통손실(VCE(sat)) 1.55V 수준을 구현한 것이 특징이다. 디바이스 구조와 공정 개선을 통해 전류 밀도를 높이고 스위칭 손실과 도통손실을 동시에 줄였다고 회사 측은 설명했다.

또한 단락 내량을 확보해 25℃ 기준 7마이크로초 수준의 내성을 구현했다. 단락 내량은 과전류 발생 시 반도체가 파손되지 않고 견디는 시간을 의미한다.

IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)는 고속 스위칭과 낮은 손실 특성을 결합한 전력반도체로, 전기차와 산업용 전력 제어 장치에 사용된다.

제품은 TO-247N 패키지 12종과 베어칩 10종으로 구성된다. TO-247-4L 패키지 제품군도 추가 개발 중이다.

로옴은 해당 제품을 2026년 5월부터 월 100만 개 규모로 양산하고 있다고 밝혔다. 일부 제품은 온라인 부품 유통 채널을 통해 공급된다.

이 제품은 자동차 전장 부품 신뢰성 규격인 AEC-Q101을 충족하도록 설계됐다.

650V급 IGBT는 전기차 보조장치와 산업용 모터 제어 장치에서 널리 사용된다. 전기차의 고전압화로 메인 구동계에는 SiC 반도체가 확대되고 있지만, 전력 용량이 상대적으로 작은 장치에서는 IGBT 수요가 유지되는 상황이다.

회사 측은 이번 제품이 에너지 효율 개선과 장치 소형화 요구에 대응하기 위한 것이라고 밝혔다.

로옴은 향후 소형 패키지 제품과 표면실장형 IGBT 개발을 통해 제품군을 확장할 계획이다.